Реактор: феритовий; SMD; 1008; 33нГн; 400мА; R: 0,42Ом; ±5%

Немає в наявності
Код товару: NLV25T-033J-EFD
5,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: NLV25T-033J-EFD
Виробник: TDK
Високосортність: 20
Допуск: ±5%
Індуктивність: 33нГн
Корпус - дюйм: 1008
Монтаж: SMD
Опір: 0,42Ом
Робоча температура: -40...105°C
Робочий струм: 0,4А
Тестова частота: 100МГц
Тип реактора: феритовий
Частота резонансна: 1,45ГГц
Недоступний
Резистор: thin film; 120кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERA3AED
Резистор: thin film; 120кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERA3AED

1,95 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 210Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 210Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±5%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±5%; AC; -55÷155°C

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
1x0,5мм
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thin film; 12,1Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73H; 200В
Резистор: thin film; 12,1Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73H; 200В

6,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±5%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±5%; CQ; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 500В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 500В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,13 грн

Alias:
KGM31DR72H152KU
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; 32МГц; SMD; SOIC28; PIC16; туба
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; 32МГц; SMD; SOIC28; PIC16; туба

83,00 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; LIN; RS232; RS485; SPI; UART
Кількість входів/виходів:
25
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; R: 10мОм; ±30%; 8x8x4,2мм; 8,15А
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; R: 10мОм; ±30%; 8x8x4,2мм; 8,15А

16,47 грн

Висота:
4,2мм
Допуск:
±30%
Індуктивність:
1,5мкГн
Матеріал стержня:
ферит
SMD; 330мкГн; 6А; 250ВAC; Зовн.розм: 19,8x14,8мм; W: 14,8мм; H: 9,8мм
SMD; 330мкГн; 6А; 250ВAC; Зовн.розм: 19,8x14,8мм; W: 14,8мм; H: 9,8мм

80,46 грн

Висота:
9,8мм
Зовнішні розміри:
19,8x14,8мм
Індуктивність:
0,33мГн
Максимальний струм:
6А
Реактор: дротяний; SMD; 470нГн; Iробочий: 17,9А; R: 1,95мОм; ±20%; DR
Реактор: дротяний; SMD; 470нГн; Iробочий: 17,9А; R: 1,95мОм; ±20%; DR

43,72 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,47мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
1,95мОм
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±20%; M; 8,8x8,4x3,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 22мкГн; ±20%; M; 8,8x8,4x3,8мм

67,85 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
22мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
8,8x8,4x3,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; R: 330мОм; ±20%; 6x6x4,5мм; 1,6А
Реактор: дротяний; SMD; 68мкГн; R: 330мОм; ±20%; 6x6x4,5мм; 1,6А

2,90 грн

Висота:
4,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
68мкГн
SMD; 0402; 47нГн; ±5%; IMC; 1,1x0,65x0,6мм; 150мА; -40÷125°C
SMD; 0402; 47нГн; ±5%; IMC; 1,1x0,65x0,6мм; 150мА; -40÷125°C

7,35 грн

Високосортність:
26
Допуск:
±5%
Індуктивність:
47нГн
Корпус - дюйм:
0402
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; Iробочий: 2,55А; R: 43,5мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; Iробочий: 2,55А; R: 43,5мОм; ±20%

27,88 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Монтаж:
SMD
Опір:
43,5мОм