Реактор: феритовий; SMD; 1210; 12мкГн; 140мА; R: 2,5Ом; ±5%

Немає в наявності
Код товару: NLV32T-120J-EF
4,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: NLV32T-120J-EF
Виробник: TDK
Високосортність: 30
Допуск: ±5%
Індуктивність: 12мкГн
Корпус - дюйм: 1210
Монтаж: SMD
Опір: 2,5Ом
Робоча температура: -40...105°C
Робочий струм: 0,14А
Тестова частота: 2,52МГц
Тип реактора: феритовий
Частота резонансна: 20МГц
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 15,6÷17,3В; 129,3А; односпрямована; ±5%; 3.0SMCJ
Діод: TVS; 3кВт; 15,6÷17,3В; 129,3А; односпрямована; ±5%; 3.0SMCJ

41,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
14В
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,5%
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 1,8÷6ВDC; MSOP8; 4,5мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 1МГц; Ch: 2; 1,8÷6ВDC; MSOP8; 4,5мВ

21,54 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
4,5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 16; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 16; THT; straight

16,66 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
19,8мм
Електричний монтаж:
THT
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; 250ВDC; Iном: 40А; 10кА
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; 250ВDC; Iном: 40А; 10кА

2433,48 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Діаметр з'єднуючих шин:
0,8...2мм
Електрична стійкість:
4000 цикли
Недоступний
Резистор: thick film; 274Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 274Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реактор: дротяний; THT; 54мкГн; 12А; ±20%; 41,2x41,2x19,5мм; ферит
Реактор: дротяний; THT; 54мкГн; 12А; ±20%; 41,2x41,2x19,5мм; ферит

356,06 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
19,5мм
Діаметр:
41,2мм
Допуск:
±20%
Реактор: дротяний; SMD; 1,9мкГн; Iробочий: 19,8А; ±20%; Isat: 29,8А
Реактор: дротяний; SMD; 1,9мкГн; Iробочий: 19,8А; ±20%; Isat: 29,8А

58,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,9мкГн
Матеріал стержня:
порошкове залізо
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 180нГн; 65мА; R: 1,5Ом; ±10%; кераміка
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 180нГн; 65мА; R: 1,5Ом; ±10%; кераміка

14,76 грн

Високосортність:
10
Допуск:
±10%
Застосування реакторів:
Додатки RF
Індуктивність:
0,18мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 12нГн; 750мА; R: 0,071Ом; ±2%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 12нГн; 750мА; R: 0,071Ом; ±2%; LQW

6,34 грн

Високосортність:
38
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
12нГн
Реактор: дротяний; SMD; 1515; 47мкГн; 800мА; ±20%; ферит; H: 1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 1515; 47мкГн; 800мА; ±20%; ферит; H: 1,8мм

18,88 грн

Висота:
1,8мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
47мкГн
Корпус - дюйм:
1515
Реактор: дротяний; THT; L: 65,6мГн; 300мА; R: 2,95Ом; Вив: радіальні
Реактор: дротяний; THT; L: 65,6мГн; 300мА; R: 2,95Ом; Вив: радіальні

114,67 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
15,494мм
Індуктивність:
65,6мГн
Індуктивність одинарної обмотки:
65,6мГн
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; Iробочий: 7,9А; ±20%; Isat: 7,1А
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; Iробочий: 7,9А; ±20%; Isat: 7,1А

47,52 грн

Висота:
3мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,5мкГн