Реактор: феритовий; SMD; 1210; 15мкГн; 390мА; R: 0,72Ом; ±10%

Немає в наявності
Код товару: B82422H1153K000
11,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 12000
Крок додавання: 2000
Код товару: B82422H1153K000
Виробник: TDK
Високосортність: 12
Відповідність стандарту: AEC-Q200
Допуск: ±10%
Індуктивність: 15мкГн
Корпус - дюйм: 1210
Корпус - мм: 3225
Монтаж: SMD
Опір: 0,72Ом
Робоча температура: -55...150°C
Робочий струм: 0,39А
Розміри корпусу: 3,2x2,5x2,2мм
Тип реактора: феритовий
Частота резонансна: 26МГц
Недоступний
Резистор: thick film; 82Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; 400В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 82Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; 400В; -55÷155°C

5,20 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 2,61кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 2,61кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

0,98 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; SR73; -55÷150°C
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; SR73; -55÷150°C

3,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
IC: driver; контролер затворів MOSFET; DIP8; 13А; Ch: 1; 4,5÷18В
IC: driver; контролер затворів MOSFET; DIP8; 13А; Ch: 1; 4,5÷18В

181,20 грн

Вид виходу:
що інвертує
Вид об'єднаної схеми:
контролер затворів MOSFET
Вид упаковки:
туба
Вихідний струм:
13А
Недоступний
Резистор: thin film; 3,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В
Резистор: thin film; 3,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В

0,84 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 5мм; 10÷35ВDC; M18; IP50; 150мА
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 5мм; 10÷35ВDC; M18; IP50; 150мА

17485,45 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
5мм
Довжина гвинта:
60мм
Загальна довжина:
85мм
Реактор: дротяний; THT; 4мкГн; 5А; R: 12мкОм; -25÷105°C
Реактор: дротяний; THT; 4мкГн; 5А; R: 12мкОм; -25÷105°C

114,04 грн

Індуктивність:
4мкГн
Монтаж:
THT
Опір:
12мкОм
Робоча температура:
-25...105°C
Реактор: керамічний; SMD; 0201; 2нГн; 200мА; -25÷85°C
Реактор: керамічний; SMD; 0201; 2нГн; 200мА; -25÷85°C

2,47 грн

Індуктивність:
2нГн
Корпус - дюйм:
0201
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-25...85°C
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 13,8x12,5x5мм; 44А; H: 5мм
Реактор: дротяний; SMD; 220нГн; ±20%; 13,8x12,5x5мм; 44А; H: 5мм

157,12 грн

Висота:
5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,22мкГн
Реактор: дротяний; THT; 22мкГн; Iробочий: 1А; R: 180мОм; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 22мкГн; Iробочий: 1А; R: 180мОм; ±10%

4,82 грн

Виводи:
2pin
Висота:
7,5мм
Діаметр:
5,5мм
Допуск:
±10%
SMD; 6,2нГн; Iробочий: 305мА; Isat: 305мА; Вим: 0,6x0,3x0,3мм
SMD; 6,2нГн; Iробочий: 305мА; Isat: 305мА; Вим: 0,6x0,3x0,3мм

0,37 грн

Високосортність:
14
Висота:
0,3мм
Індуктивність:
6,2нГн
Корпус - мм:
0603
Реактор: дротяний; SMD; 100нГн; ±20%; 13,8x12,9x5мм; 80А; H: 5мм
Реактор: дротяний; SMD; 100нГн; ±20%; 13,8x12,9x5мм; 80А; H: 5мм

62,09 грн

Висота:
5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,1мкГн
C504 10M006 118 3 U
C504 10M006 118 3 U

1,10 грн