1. Головна
  2. Пасивні елементи
  3. Індуктивні компоненти
  4. Дроселі

Реактор: феритовий; SMD; 1210; 270мкГн; 45мА; R: 28Ом; ±5%; -40÷105°C

Реактор: феритовий; SMD; 1210; 270мкГн; 45мА; R: 28Ом; ±5%; -40÷105°C
Немає в наявності
Код товару: NLV32T-271J-EFD
5,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: NLV32T-271J-EFD
Виробник: TDK
Високосортність: 20
Допуск: ±5%
Індуктивність: 0,27мГн
Корпус - дюйм: 1210
Монтаж: SMD
Опір: 28Ом
Робоча температура: -40...105°C
Робочий струм: 45мА
Тестова частота: 0,796МГц
Тип реактора: феритовий
Частота резонансна: 6МГц
Провід; UNITRONIC® LiHH; LiHH; 12x0,34мм2; неекранований; 60В; Cu
Провід; UNITRONIC® LiHH; LiHH; 12x0,34мм2; неекранований; 60В; Cu

204,64 грн

Bластивості проводів:
низьке виділення диму; низькомісткісний
Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Недоступний
Резистор: thick film; 33,2Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 33,2Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 30Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,19 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 82Ом; THT; 250мВт; ±2%; 250В; осьові; L: 3,2мм
Резистор: вуглецевий; 82Ом; THT; 250мВт; ±2%; 250В; осьові; L: 3,2мм

1,57 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,7мм
Довжина:
3,2мм
Допуск:
±2%
Маркер: кабельний; 10÷317мм; ПВХ; прозорий; UL94V-0; W: 11,3мм
Маркер: кабельний; 10÷317мм; ПВХ; прозорий; UL94V-0; W: 11,3мм

12,86 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
кабелів і проводів; монтаж кабельних стягувань
Висота:
66мм
Зовнішній діаметр проводу:
10...317мм
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 5В; 35нс; SO32; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 5В; 35нс; SO32; паралельний

162,82 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
Недоступний
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В

0,70 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; Iробочий: 16,2А; R: 6,8мОм; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; Iробочий: 16,2А; R: 6,8мОм; ±20%

35,48 грн

Alias:
UPI2X10840L1R5
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,5мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 220нГн; ±5%; ферит; 1,6x1мм; 200мОм
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 220нГн; ±5%; ферит; 1,6x1мм; 200мОм

11,53 грн

Допуск:
±5%
Індуктивність:
0,22мкГн
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реактор: дротяний; ферит
Реактор: дротяний; ферит

8,49 грн

Матеріал стержня:
ферит
Тип реактора:
дротяний
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 100нГн; ±5%; 2,29x1,73x1,55мм; 460мОм
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 100нГн; ±5%; 2,29x1,73x1,55мм; 460мОм

6,46 грн

Високосортність:
50
Висота:
1,55мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
0,1мкГн
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0402; 15нГн; 450мА; R: 0,32Ом; ±2%
Реактор: повітряна котушка; SMD; 0402; 15нГн; 450мА; R: 0,32Ом; ±2%

4,43 грн

Високосортність:
8
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
15нГн
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 33мкГн; ±10%; 250мА; ферит; 1,3мм; 5Ом
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 33мкГн; ±10%; 250мА; ферит; 1,3мм; 5Ом

7,48 грн

Високосортність:
10
Висота:
1,3мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
33мкГн
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 800мА; ±20%; 3x3x1,2мм
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; Iробочий: 800мА; ±20%; 3x3x1,2мм

7,86 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Монтаж:
SMD