Реактор: феритовий; SMD; 1210; 560нГн; 450мА; R: 550мОм; ±5%

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NLV32T-R56J-EF
10,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NLV32T-R56J-EF
Виробник: TDK
Високосортність: 30
Допуск: ±5%
Індуктивність: 0,56мкГн
Корпус - дюйм: 1210
Монтаж: SMD
Опір: 0,55Ом
Робоча температура: -40...105°C
Робочий струм: 0,45А
Тестова частота: 25,2МГц
Тип реактора: феритовий
Частота резонансна: 180МГц
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 7; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 7; THT; 1.5A

76,03 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 80,6кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; 2x1,25x0,5мм
Резистор: thick film; 80,6кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; 2x1,25x0,5мм

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Провід; JZ; JZ-500 HMH-C; 18G1мм2; LSZH; сірий; 300В,500В; CPR: Dca
Провід; JZ; JZ-500 HMH-C; 18G1мм2; LSZH; сірий; 300В,500В; CPR: Dca

805,25 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
JZ
Тиристор: гвинтовий; 1,2кВ; Ifмакс: 40А; 25А; Igt: 60мА; Ifsm: 420А
Тиристор: гвинтовий; 1,2кВ; Ifмакс: 40А; 25А; Igt: 60мА; Ifsm: 420А

975,67 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TO48; TO208AA
Монтаж:
пригвинчуваний
Недоступний
Затискна обійма; L: 201мм; W: 4,6мм; кислотостійка сталь; 540Н
Затискна обійма; L: 201мм; W: 4,6мм; кислотостійка сталь; 540Н

80,46 грн

Діаметр жгута:
50мм
Довжина:
201мм
Матеріал обійми:
кислотостійка сталь
Модель:
з кульковим замком
Недоступний
Діод: TVS; 7кВт; 18,9В; 253А; односпрямована; Ch: 1; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 7кВт; 18,9В; 253А; односпрямована; Ch: 1; ролик,cтрічка

76,66 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
17В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3МОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 3,3МОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; NQ; 200В

4,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Реактор: дротяний; THT; 47мкГн; 4А; R: 45,3мОм; Реактор: кільцевий
Реактор: дротяний; THT; 47мкГн; 4А; R: 45,3мОм; Реактор: кільцевий

108,97 грн

Вид дроселя:
кільцевий
Діаметр:
20мм
Застосування реакторів:
імпульсні блоки живлення
Індуктивність:
47мкГн
Реактор: дротяний; THT; 22мкГн; 30А; R: 3,7мОм; Реактор: кільцевий
Реактор: дротяний; THT; 22мкГн; 30А; R: 3,7мОм; Реактор: кільцевий

217,31 грн

Вид дроселя:
кільцевий
Діаметр:
33,5мм
Застосування реакторів:
імпульсні блоки живлення
Індуктивність:
22мкГн
Реактор: дротяний; THT; 680мкГн; 6А; R: 205мОм; Реактор: кільцевий
Реактор: дротяний; THT; 680мкГн; 6А; R: 205мОм; Реактор: кільцевий

446,66 грн

Вид дроселя:
кільцевий
Діаметр:
52мм
Застосування реакторів:
імпульсні блоки живлення
Індуктивність:
0,68мГн
Реактор: дротяний; THT; L: 100мкГн; 5А; R: 59мОм; Реактор: кільцевий
Реактор: дротяний; THT; L: 100мкГн; 5А; R: 59мОм; Реактор: кільцевий

210,97 грн

Вид дроселя:
кільцевий
Діаметр:
30мм
Індуктивність:
0,1мГн
Індуктивність @ IAC=0A:
172мкГн
Реактор: дротяний; THT; 120мкГн; Iробочий: 2А; R: 250мОм; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 120мкГн; Iробочий: 2А; R: 250мОм; ±10%

20,91 грн

Виводи:
2pin
Висота:
13,5мм
Діаметр:
9,5мм
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; 2,9А; R: 65,7мОм; ±20%; ETQP3M
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; 2,9А; R: 65,7мОм; ±20%; ETQP3M

32,31 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; SMD; 1000мкГн; 120мА; R: 6,1Ом; ±10%; -40÷125°C
Реактор: дротяний; SMD; 1000мкГн; 120мА; R: 6,1Ом; ±10%; -40÷125°C

158,39 грн

Допуск:
±10%
Індуктивність:
1мГн
Монтаж:
SMD
Опір:
6,1Ом