Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Uупр: 1,1÷1,4ВDC; 110мА; G3VM

Немає в наявності
Код товару: G3VM401VYTR05
121,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 500
Крок додавання: 500
Код товару: G3VM401VYTR05
Виробник: ARATAS
Конфігурація контактів: SPST-NO
Корпус: SOP4
Модель реле: 1-фазний; MOSFET
Монтаж: SMT
Напруга ізоляції: 1,5кВ
Напруга перемикання: макс. 400В AC; макс. 400В DC
Напруга управління: 1,1...1,4В DC
Робоча температура: -40...110°C
Серія виробника: G3VM
Струм робочий макс.: 0,11А
Тип реле: напівпровідниковe
Час розімкнення: 0,5мс
Час спрацювання: 1мс
Connector: D-Sub; PIN: 31; data transfer; straight; crimped
Connector: D-Sub; PIN: 31; data transfer; straight; crimped

4559,69 грн

Connector family:
data transfer
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
31
Покриття контакту:
позолочений
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 11,7В; SMD; DO213AA; 15мкА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 11,7В; SMD; DO213AA; 15мкА; ролик,cтрічка

1023,82 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
11,7В
Корпус:
DO213AA
Недоступний
Радіатор: штампований; ребристий; чорний; L: 75мм; W: 45мм; H: 85мм
Радіатор: штампований; ребристий; чорний; L: 75мм; W: 45мм; H: 85мм

0,00 грн

Висота:
85мм
Довжина:
75мм
Колір:
чорний
Матеріал:
алюміній
Недоступний
Реєстратор даних; напруги DC,струму DC,резистансу,температури
Реєстратор даних; напруги DC,струму DC,резистансу,температури

69053,56 грн

Cенсорна панель:
так
Вид вжитого дисплея:
LCD TFT 5,7"
Вид датчика температури:
Cu100; Ni100; Pt100; Pt500; Pt1000; термопара B; термопара E; термопара J; термопара K; термопара L; термопара N; термопара R; термопара T
Вимір:
напруги DC; резистансу; струму DC; температури
Недоступний
LED; 3мм; червоний/блакитний; 30°; Голівка: опукла; К-ть вив: 3
LED; 3мм; червоний/блакитний; 30°; Голівка: опукла; К-ть вив: 3

25,98 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
3мм
Довжина хвилі λd:
470нм; 624нм
Кількість виводів:
3
Реактор: феритовий; SMD; 0805; 470нГн; 200мА; R: 650мОм; ±10%
Реактор: феритовий; SMD; 0805; 470нГн; 200мА; R: 650мОм; ±10%

1,79 грн

Високосортність:
25
Допуск:
±10%
Індуктивність:
0,47мкГн
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 12мОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 12мОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷125°C

5,51 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 4÷32ВDC; 80А; 48÷280ВAC; RSR52; IP20
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 4÷32ВDC; 80А; 48÷280ВAC; RSR52; IP20

2412,57 грн

Зовнішні розміри:
58,6x45,7x33,5мм
Клас герметичності:
IP20
Модель реле:
1-фазний
Напруга перемикання:
48...280В AC
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 4÷32ВDC; 40А; 48÷660ВAC; RSR52; IP20
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 4÷32ВDC; 40А; 48÷660ВAC; RSR52; IP20

1497,09 грн

Зовнішні розміри:
58,6x45,7x33,5мм
Клас герметичності:
IP20
Модель реле:
1-фазний
Напруга перемикання:
48...660В AC
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 90÷280ВAC; 40А; 24÷530ВAC; RSR72
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 90÷280ВAC; 40А; 24÷530ВAC; RSR72

3174,74 грн

Зовнішні розміри:
50,5x122x110мм
Клас герметичності:
IP20
Конструкція:
радіатор
Модель реле:
1-фазний
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO x2; Iупр.макс: 50мА; 250мА; 8Ом
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO x2; Iупр.макс: 50мА; 250мА; 8Ом

717,82 грн

Зовнішні розміри:
9,65x6,35x3,3мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO x2
Корпус:
DIP8
Модель реле:
1-фазний; стабілізація струму
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Iупр.макс: 50мА; 140мА; OptoMOS
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Iупр.макс: 50мА; 140мА; OptoMOS

292,07 грн

Вид виходу:
MOSFET
Зовнішні розміри:
4,57x6,35x3,3мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Корпус:
DIP4
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Iупр.макс: 50мА; 200мА; OptoMOS
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Iупр.макс: 50мА; 200мА; OptoMOS

496,71 грн

Вид виходу:
MOSFET
Зовнішні розміри:
8,38x6,35x3,3мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Корпус:
DIP6
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO x2; Iупр.макс: 50мА; 100мА; 50Ом
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO x2; Iупр.макс: 50мА; 100мА; 50Ом

594,27 грн

Вид виходу:
MOSFET
Зовнішні розміри:
9,65x6,35x3,3мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO x2
Корпус:
DIP8