Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Uупр: 1,18÷1,48ВDC; 3000мА; G3VM

Немає в наявності
Код товару: G3VM61ER1
411,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 200
Код товару: G3VM61ER1
Виробник: ARATAS
Конфігурація контактів: SPST-NO
Корпус: DIP6
Модель реле: 1-фазний; MOSFET
Монтаж: SMT
Напруга ізоляції: 2,5кВ
Напруга перемикання: макс. 60В AC; макс. 60В DC
Напруга управління: 1,18...1,48В DC
Робоча температура: -20...65°C
Серія виробника: G3VM
Струм робочий макс.: 3А
Тип реле: напівпровідниковe
Час розімкнення: 1мс
Час спрацювання: 5мс
Недоступний
Резистор: thick film; 7,98кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 7,98кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
7,98кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 3,83кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 3,83кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

1,12 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 25ВDC; C0G (NP0); 4,5x3,2x1,52мм
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 25ВDC; C0G (NP0); 4,5x3,2x1,52мм

426,38 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
10нФ
Робоча напруга:
25В DC
Розміри корпусу:
4,5x3,2x1,52мм
Недоступний
Резистор: thick film; 866кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 866кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В

0,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 6ВDC; DPDT; G6K; макс.125ВAC; SMD
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 6ВDC; DPDT; G6K; макс.125ВAC; SMD

160,29 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
10x7,8x5,2мм
Кількість пін:
8
Недоступний
Ферит: бусина; SMD; 200мА; 0402; R: 2,2Ом; ±25%; Z: 1,8кОм; CBM; 100МГц
Ферит: бусина; SMD; 200мА; 0402; R: 2,2Ом; ±25%; Z: 1,8кОм; CBM; 100МГц

0,95 грн

Допуск:
±25%
Імпеданс:
1,8кОм
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Амперметр; на панель; I DC: 0÷50А; Клас: 1,5; Довжина: 61мм; 600В
Амперметр; на панель; I DC: 0÷50А; Клас: 1,5; Довжина: 61мм; 600В

1992,53 грн

Вимір:
струму DC
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Діапазон вимірювання струму DC:
0...50А
Довжина шкали:
61мм
Реле: напівпровідниковe; SPDT; Iупр.макс: 50мА; 170мА; макс.250ВAC
Реле: напівпровідниковe; SPDT; Iупр.макс: 50мА; 170мА; макс.250ВAC

541,69 грн

Зовнішні розміри:
9,65x6,35x3,3мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Корпус:
DIP8
Модель реле:
1-фазний; стабілізація струму
Реле: напівпровідниковe; Iупр.макс: 100мА; 1000мА; макс.500ВAC
Реле: напівпровідниковe; Iупр.макс: 100мА; 1000мА; макс.500ВAC

586,67 грн

Зовнішні розміри:
19,2x6,35x3,3мм
Корпус:
DIP4
Модель реле:
1-фазний
Монтаж:
THT
Реле: напівпровідниковe; SPST-NC; Iупр.макс: 50мА; 120мА; OptoMOS
Реле: напівпровідниковe; SPST-NC; Iупр.макс: 50мА; 120мА; OptoMOS

183,73 грн

Вид виходу:
MOSFET
Зовнішні розміри:
4,09x3,81x2,03мм
Конфігурація контактів:
SPST-NC
Корпус:
SOP4
Реле: напівпровідниковe; SPST-NC x2; Iупр.макс: 50мА; 170мА; 20Ом
Реле: напівпровідниковe; SPST-NC x2; Iупр.макс: 50мА; 170мА; 20Ом

571,47 грн

Вид виходу:
MOSFET
Зовнішні розміри:
9,65x6,35x3,3мм
Конфігурація контактів:
SPST-NC x2
Корпус:
DIP8
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Iупр.макс: 50мА; 120мА; OptoMOS
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Iупр.макс: 50мА; 120мА; OptoMOS

287,63 грн

Зовнішні розміри:
8,38x6,35x3,3мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Корпус:
DIP6
Модель реле:
1-фазний; стабілізація струму
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Iупр.макс: 50мА; 170мА; OptoMOS
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Iупр.макс: 50мА; 170мА; OptoMOS

368,73 грн

Вид виходу:
MOSFET
Зовнішні розміри:
8,38x6,35x3,3мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Корпус:
DIP6
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Iупр.макс: 50мА; 250мА; OptoMOS
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Iупр.макс: 50мА; 250мА; OptoMOS

344,02 грн

Вид виходу:
MOSFET
Зовнішні розміри:
8,38x6,35x3,3мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Корпус:
DIP6