Реле: напівпровідниковe; Uупр: 3,5÷32ВDC; 35А; 24÷600ВAC; SUL; IP20

Немає в наявності
Код товару: SUL967460
3461,74 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SUL967460
Виробник: CELDUC
Зовнішні розміри: 22,5x90x98мм
Клас герметичності: IP20
Конструкція: радіатор
Модель реле: 1-фазний
Монтаж: на шину DIN
Напруга перемикання: 24...600В AC
Напруга управління: 3,5...32В DC
Робоча температура: -40...100°C
Серія виробника: SUL
Спосіб перемикання: включення в нулі
Струм робочий макс.: 35А
Супутні товари: ESUC0450; ESUC0480
Тип реле: напівпровідниковe
Недоступний
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В

0,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Шліфмашинка осциляційна; акумуляторна; 18ВDC; Кріплення: липучка
Шліфмашинка осциляційна; акумуляторна; 18ВDC; Кріплення: липучка

2139,51 грн

Батарея/акумулятор:
немає
Вид інструменту:
акумуляторна
Джерело живлення:
акумулятор Li-Ion 18В x1
Довжина:
145мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 17мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 17мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 2220

38,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 36мОм; SMD; 1206; 1Вт; ±1%; ERJ8CWF; -55÷155°C
Резистор: thick film; 36мОм; SMD; 1206; 1Вт; ±1%; ERJ8CWF; -55÷155°C

5,77 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 300мОм; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; ERJ3BQF
Резистор: thick film; 300мОм; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; ERJ3BQF

1,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Лабораторний затиск; зелений; 70ВDC; 33ВAC; 16А; нікель; поліамід
Лабораторний затиск; зелений; 70ВDC; 33ВAC; 16А; нікель; поліамід

248,99 грн

Довжина:
38,9мм
Колір:
зелений
Матеріал ізоляції:
поліамід
Матеріал контакту:
нікель
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 150мкГн; R: 4мОм; SC; 20А; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 150мкГн; R: 4мОм; SC; 20А; 250ВAC; -25÷120°C

195,13 грн

Індуктивність:
0,15мГн
Максимальний струм:
20А
Монтаж:
THT
Опір:
4мОм
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Iупр.макс: 50мА; 500мА; OptoMOS
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Iупр.макс: 50мА; 500мА; OptoMOS

527,75 грн

Вид виходу:
MOSFET
Зовнішні розміри:
19,2x6,4x3,3мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Корпус:
DIP4
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Iупр.макс: 50мА; 90мА; OptoMOS
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Iупр.макс: 50мА; 90мА; OptoMOS

311,71 грн

Вид виходу:
MOSFET
Зовнішні розміри:
4,57x6,35x3,3мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Корпус:
DIP4
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO + SPST-NC; Iупр.макс: 50мА; 10Ом
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO + SPST-NC; Iупр.макс: 50мА; 10Ом

878,74 грн

Зовнішні розміри:
9,66x6,35x3,3мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO + SPST-NC
Корпус:
DIP8
Модель реле:
1-фазний; стабілізація струму
Реле: напівпровідниковe; SPST-NC x2; Iупр.макс: 50мА; 170мА; 20Ом
Реле: напівпровідниковe; SPST-NC x2; Iупр.макс: 50мА; 170мА; 20Ом

845,16 грн

Вид виходу:
MOSFET
Зовнішні розміри:
9,65x6,35x3,3мм
Конфігурація контактів:
SPST-NC x2
Корпус:
DIP8
Реле: напівпровідниковe; SPDT; Iупр.макс: 100мА; 85мА; макс.350ВAC
Реле: напівпровідниковe; SPDT; Iупр.макс: 100мА; 85мА; макс.350ВAC

338,95 грн

Вид виходу:
MOSFET
Зовнішні розміри:
9,65x6,35x3,3мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Корпус:
DIP8
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Uупр: 1,8÷2,8ВDC; 50мА; OptoMOS
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Uупр: 1,8÷2,8ВDC; 50мА; OptoMOS

449,82 грн

Зовнішні розміри:
8,38x6,35x3,3мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Корпус:
DIP6
Модель реле:
1-фазний; стабілізація струму
Реле: напівпровідниковe; SPST-NC; Iупр.макс: 50мА; 250мА; OptoMOS
Реле: напівпровідниковe; SPST-NC; Iупр.макс: 50мА; 250мА; OptoMOS

703,88 грн

Вид виходу:
MOSFET
Зовнішні розміри:
8,38x6,35x3,3мм
Конфігурація контактів:
SPST-NC
Корпус:
DIP6