THT; 500мкГн; RT; 64x42x64мм; 300ВAC; W: 42мм; 63А; -40÷100°C

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RT8522-63-0M5
1124,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5
Код товару: RT8522-63-0M5
Виробник: TE Connectivity
Індуктивність: 0,5мГн
Монтаж: THT
Робоча напруга: 300В AC
Робоча температура: -40...100°C
Розміри корпусу: 64x42x64мм
Серія виробника: RT
Струм робочий макс.: 63А
Ширина: 42мм
Недоступний
Резистор: thin film; 60,4кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 60,4кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

2243,41 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,8А
Вхідна напруга:
36...75В DC
Резистор: thin film; 2,2кОм; 0603; 100мВт; ±0,5%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 2,2кОм; 0603; 100мВт; ±0,5%; RT; -55÷155°C

0,41 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
2,2кОм
Резистор: thick film; 51Ом; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 51Ом; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 18А; 500Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 18А; 500Вт; ISOPLUS247™

1407,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Недоступний
Резистор: thin film; 1,4кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 1,4кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 2,2мкФ; 400ВDC; 250ВAC
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 2,2мкФ; 400ВDC; 250ВAC

203,37 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
низький коефіцієнт втрат
Допуск:
±10%
Реактор: дротяний; THT; 470мкГн; ±15%; Вив: радіальні; 130мОм
Реактор: дротяний; THT; 470мкГн; ±15%; Вив: радіальні; 130мОм

78,56 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±15%
Індуктивність:
0,47мГн
Монтаж:
THT
Реактор: котушка; SMD; 0603; 5,6нГн; 700мА; R: 0,15Ом; ±5%
Реактор: котушка; SMD; 0603; 5,6нГн; 700мА; R: 0,15Ом; ±5%

4,75 грн

Високосортність:
16
Допуск:
±5%
Індуктивність:
5,6нГн
Корпус - дюйм:
0603
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; 3,2x3,2x1,2мм; 1,6А; 340мОм
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; 3,2x3,2x1,2мм; 1,6А; 340мОм

14,51 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Монтаж:
SMD
Опір макс.:
340мОм
Реактор: котушка; SMD; 0603; 68нГн; 600мА; R: 0,34Ом; ±5%
Реактор: котушка; SMD; 0603; 68нГн; 600мА; R: 0,34Ом; ±5%

5,07 грн

Високосортність:
40
Допуск:
±5%
Індуктивність:
68нГн
Корпус - дюйм:
0603
Реактор: дротяний; SMD; 200нГн; ±30%; 7,6x6,9x3мм; 41А; H: 3мм
Реактор: дротяний; SMD; 200нГн; ±30%; 7,6x6,9x3мм; 41А; H: 3мм

28,95 грн

Висота:
3мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±30%
Індуктивність:
0,2мкГн
Реактор: котушка; SMD; 0805; 18нГн; 600мА; R: 0,08Ом; ±5%
Реактор: котушка; SMD; 0805; 18нГн; 600мА; R: 0,08Ом; ±5%

6,21 грн

Високосортність:
60
Допуск:
±5%
Індуктивність:
18нГн
Корпус - дюйм:
0805
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; R: 11,7мОм; ±30%; 12А; ферит
Реактор: дротяний; SMD; 1,5мкГн; R: 11,7мОм; ±30%; 12А; ферит

14,06 грн

Високосортність:
15
Висота:
4,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±30%