1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Тиристори
  4. Тиристори окремі
  5. Тиристори гвинтові

Тиристор: гвинтовий; 600В; Ifмакс: 135А; 85А; Igt: 150мА; TO83

Тиристор: гвинтовий; 600В; Ifмакс: 135А; 85А; Igt: 150мА; TO83
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NTE5368
5835,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTE5368
Виробник: NTE Electronics
Зворотна напруга макс.: 0,6кВ
Корпус: TO83
Монтаж: пригвинчуваний
Струм вентиля: 150мА
Струм в імпульсі макс.: 2,06кА
Струм провідності: 85А
Струм провідності макс.: 135А
Тип тиристора: гвинтовий
Недоступний
Резистор: thick film; 510кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; RK73B; 75В
Резистор: thick film; 510кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; RK73B; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 0,01A/24ВDC; RS; SMD
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 0,01A/24ВDC; RS; SMD

1233,53 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
300000 цикли
Зовнішні розміри:
14x8,6x8мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Недоступний
Резистор: thick film; 16Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±5%; RK73B; 75В
Резистор: thick film; 16Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±5%; RK73B; 75В

0,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 1,27кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 1,27кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 400мА
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 400мА

2789,54 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
0,4А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thin film; 2,08кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 2,08кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Транзистор: NPN x2; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT666
Транзистор: NPN x2; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT666

20,27 грн

Вид транзистора:
BRT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT666
Тиристор: гвинтовий; 1,6кВ; Ifмакс: 550А; 300А; Igt: 200мА; M24x1,5
Тиристор: гвинтовий; 1,6кВ; Ifмакс: 550А; 300А; Igt: 200мА; M24x1,5

6253,18 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
TO118; TO209AD
Монтаж:
пригвинчуваний
Тиристор: гвинтовий; 1,2кВ; Ifмакс: 40А; 25А; Igt: 60мА; Ifsm: 420А
Тиристор: гвинтовий; 1,2кВ; Ifмакс: 40А; 25А; Igt: 60мА; Ifsm: 420А

1229,73 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Імпульсна міцність:
1кВ/мкс
Корпус:
TO48; TO208AA
Тиристор: гвинтовий; 1,2кВ; Ifмакс: 110А; 55А; Igt: 150мА; M12; SKT55
Тиристор: гвинтовий; 1,2кВ; Ifмакс: 110А; 55А; Igt: 150мА; M12; SKT55

2213,64 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TO94; TO209
Монтаж:
пригвинчуваний
Тиристор: гвинтовий; 1,6кВ; 335А; W18; пригвинчуваний; Ifsm: 4,65кА
Тиристор: гвинтовий; 1,6кВ; 335А; W18; пригвинчуваний; Ifsm: 4,65кА

7116,08 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
phase control thyristor (PCT)
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
W18
Тиристор: гвинтовий; 1,2кВ; Ifмакс: 78А; 50А; Igt: 150мА; M8; SKT50
Тиристор: гвинтовий; 1,2кВ; Ifмакс: 78А; 50А; Igt: 150мА; M8; SKT50

1191,08 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TO65; TO208AC
Монтаж:
пригвинчуваний
Тиристор: гвинтовий; 300В; Ifмакс: 25А; 16А; Igt: 40мА; TO48; 3мкс
Тиристор: гвинтовий; 300В; Ifмакс: 25А; 16А; Igt: 40мА; TO48; 3мкс

1011,79 грн

Зворотна напруга макс.:
300В
Корпус:
TO48
Монтаж:
пригвинчуваний
Струм вентиля:
40мА
Тиристор: гвинтовий; 1,6кВ; Ifмакс: 78А; 50А; Igt: 150мА; M8; SKT50
Тиристор: гвинтовий; 1,6кВ; Ifмакс: 78А; 50А; Igt: 150мА; M8; SKT50

1234,80 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
TO65; TO208AC
Монтаж:
пригвинчуваний