Тиристор: Sidak; 1А; DO15; 340÷380В; THT; розсипний; двоспрямована

Немає в наявності
Код товару: K3601G
97,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: K3601G
Виробник: LITTELFUSE
Вид упаковки: розсипний
Корпус: DO15
Монтаж: THT
Напруга перемикання: 340...380В
Серія виробника: Kxxx1G
Структура напівпровідника: двоспрямована
Струм провідності макс.: 1А
Технологія: Multipulse™
Тип тиристора: Sidak
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 1,5нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 1,5нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; THT; 5мм

3,58 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
1,5нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

0,26 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Амперметр; на панель; I DC: 0÷15А; Клас: 2; Внутр.резист: 4мОм
Амперметр; на панель; I DC: 0÷15А; Клас: 2; Внутр.резист: 4мОм

1635,20 грн

Вимір:
струму DC
Властивості вимірювальних приладів:
можливість підсвітки масштабу 2 лампочками 6В
Внутрішній резистанс:
4мОм
Діапазон вимірювання струму DC:
0...15А
Недоступний
Резистор: thick film; 30Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 30Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
30Ом
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,5А; Idm: 5А; 800мВт; TUMT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,5А; Idm: 5А; 800мВт; TUMT3

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
TUMT3
Конденсатор: поліестровий; 1мкФ; 220В; 400ВDC; 27,5мм; ±10%; THT
Конденсатор: поліестровий; 1мкФ; 220В; 400ВDC; 27,5мм; ±10%; THT

188,17 грн

Виводи:
2pin
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 22,6Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22,6Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Тиристор: AC switch; 800В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 10мА; SOT223; SMD; ASD™
Тиристор: AC switch; 800В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 10мА; SOT223; SMD; ASD™

44,98 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
internally triggered
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
К-ть перемикачів:
1
Тиристор: AC switch; 700В; Ifмакс: 12А; Igt: 10мА; D2PAK; SMD; ASD™
Тиристор: AC switch; 700В; Ifмакс: 12А; Igt: 10мА; D2PAK; SMD; ASD™

148,89 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
700В
К-ть перемикачів:
1
Корпус:
D2PAK
Тиристор: Sidak; 1А; DO15; 270÷330В; THT; розсипний; Kxxxzy
Тиристор: Sidak; 1А; DO15; 270÷330В; THT; розсипний; Kxxxzy

97,57 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
DO15
Монтаж:
THT
Напруга перемикання:
270...330В
Тиристор: BOD x3; 0,2А; BOD; THT; 2,6кВ; розсипний
Тиристор: BOD x3; 0,2А; BOD; THT; 2,6кВ; розсипний

5091,87 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
version RD (internal diode)
Корпус:
BOD
Монтаж:
THT
Тиристор: AC switch; 800В; Ifмакс: 16А; Igt: 35мА; TO220FP; THT; ASD™
Тиристор: AC switch; 800В; Ifмакс: 16А; Igt: 35мА; TO220FP; THT; ASD™

137,48 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
К-ть перемикачів:
1
Корпус:
TO220FP
Тиристор: TSS; Urmax: 65В; TO92; THT; 25А; SIDACtor®; UBO: 88В
Тиристор: TSS; Urmax: 65В; TO92; THT; 25А; SIDACtor®; UBO: 88В

93,77 грн

Вид упаковки:
розсипний
Використання:
baseband equipment
Зворотна напруга макс.:
65В
Корпус:
TO92
Тиристор: Sidak; 1А; DO15; 220÷250В; THT; розсипний; двоспрямована
Тиристор: Sidak; 1А; DO15; 220÷250В; THT; розсипний; двоспрямована

97,57 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
DO15
Монтаж:
THT
Напруга перемикання:
220...250В