Тиристор: стандартний; 1,2кВ; Ifмакс: 47А; 30А; Igt: 50мА; D2PAK; SMD

Немає в наявності
Код товару: BT153B-1200TJ
70,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BT153B-1200TJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.: 1,2кВ
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Струм вентиля: 50мА
Струм в імпульсі макс.: 350А
Струм провідності: 30А
Струм провідності макс.: 47А
Тип тиристора: стандартний
Час ввімкнення: 2мкс
Недоступний
Резистор: thick film; 182кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; 50В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 182кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; 50В; -55÷125°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; Uвих: 0,8÷4,5В; DFN10
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; Uвих: 0,8÷4,5В; DFN10

87,43 грн

Вид об'єднаної схеми:
LDO; перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
0,8...4,5В; 3,3В DC
Вихідний струм:
0,3...0,5А
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 8; М12 прямий "мама",з обох сторін
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 8; М12 прямий "мама",з обох сторін

6050,44 грн

Довжина кабелю:
50м
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 240кОм; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 240кОм; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
240кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±5%; AS; 150В
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±5%; AS; 150В

1,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: 2-провідний NO; 0÷7мм; 10÷30ВDC; 5м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: 2-провідний NO; 0÷7мм; 10÷30ВDC; 5м; IP67

5646,23 грн

Дальність:
0...7мм
Довжина відводів:
5м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
2-провідний NO
Недоступний
Резистор: thin film; 18Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 18Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

2,17 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 10А; 6,4А; Igt: 15мА; TO220AB
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 10А; 6,4А; Igt: 15мА; TO220AB

67,79 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Тиристор: стандартний; 1,2кВ; Ifмакс: 79А; 50А; Igt: 50мА; TO247AD
Тиристор: стандартний; 1,2кВ; Ifмакс: 79А; 50А; Igt: 50мА; TO247AD

406,11 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TO247AD
Монтаж:
THT
Тиристор: стандартний; 1,2кВ; Ifмакс: 30А; 19А; Igt: 50мА; TOP3; THT
Тиристор: стандартний; 1,2кВ; Ifмакс: 30А; 19А; Igt: 50мА; TOP3; THT

475,17 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TOP3
Монтаж:
THT
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 20А; 12,8А; Igt: 30мА; THT; туба
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 20А; 12,8А; Igt: 30мА; THT; туба

121,01 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220ABIns
Тиристор: стандартний; 400В; Ifмакс: 4А; 2,55А; Igt: 0,2мА; TO225AA
Тиристор: стандартний; 400В; Ifмакс: 4А; 2,55А; Igt: 0,2мА; TO225AA

72,23 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
TO225AA
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 4А; 2,5А; Igt: 15мА; TO220AB
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 4А; 2,5А; Igt: 15мА; TO220AB

15,21 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 4А; 2,5А; Igt: 0,2мА; TO126; THT
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 4А; 2,5А; Igt: 0,2мА; TO126; THT

8,24 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO126
Монтаж:
THT