Тиристор: стандартний; 2,2кВ; 30А; Igt: 250мА; THT; Ifsm: 200А

Немає в наявності
Код товару: CNA30E2200FB
1783,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CNA30E2200FB
Виробник: IXYS
Властивості напівпровідникових елементів: phase control thyristor (PCT)
Зворотна напруга макс.: 2,2кВ
Корпус: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Монтаж: THT
Струм вентиля: 250мА
Струм в імпульсі макс.: 200А
Струм провідності: 30А
Тип тиристора: стандартний
Резистор: thin film; 681Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 681Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 270мкФ; 400ВDC; Ø25x40мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 270мкФ; 400ВDC; Ø25x40мм

244,55 грн

Висота:
40мм
Властивості конденсаторів:
великий імпульсний струм
Діаметр:
25мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 64,9кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±0,1%
Резистор: thin film; 64,9кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 0,4Вт; ±0,1%

4,62 грн

Діаметр:
1,5мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±0,1%
Корпус:
MiniMELF
Недоступний
Корпус вилки; Kona; PIN: 3; розсипний; 8,5мм
Корпус вилки; Kona; PIN: 3; розсипний; 8,5мм

7739,49 грн

Вид упаковки:
розсипний
Застосування - серія/виробник:
Kona
Кількість пін:
3
Растр контактів:
8,5мм
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; FBGA60

708,31 грн

Вид пам’яті:
DDR2; SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
FBGA60
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 12; 3,5м; вилка; 30ВDC; 30ВAC; 1,5А
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 12; 3,5м; вилка; 30ВDC; 30ВAC; 1,5А

3016,35 грн

Довжина кабелю:
3,5м
Кількість пін:
12
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 11кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 11кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 10А; 6,4А; Igt: 15мА; TO220AB
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 10А; 6,4А; Igt: 15мА; TO220AB

67,79 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Тиристор: стандартний; 1,2кВ; Ifмакс: 79А; 50А; Igt: 50мА; TO247AD
Тиристор: стандартний; 1,2кВ; Ifмакс: 79А; 50А; Igt: 50мА; TO247AD

406,11 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TO247AD
Монтаж:
THT
Тиристор: стандартний; 1,2кВ; Ifмакс: 30А; 19А; Igt: 50мА; TOP3; THT
Тиристор: стандартний; 1,2кВ; Ifмакс: 30А; 19А; Igt: 50мА; TOP3; THT

475,17 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TOP3
Монтаж:
THT
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 20А; 12,8А; Igt: 30мА; THT; туба
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 20А; 12,8А; Igt: 30мА; THT; туба

121,01 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220ABIns
Тиристор: стандартний; 400В; Ifмакс: 4А; 2,55А; Igt: 0,2мА; TO225AA
Тиристор: стандартний; 400В; Ifмакс: 4А; 2,55А; Igt: 0,2мА; TO225AA

72,23 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
TO225AA
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 4А; 2,5А; Igt: 15мА; TO220AB
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 4А; 2,5А; Igt: 15мА; TO220AB

15,21 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 4А; 2,5А; Igt: 0,2мА; TO126; THT
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 4А; 2,5А; Igt: 0,2мА; TO126; THT

8,24 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO126
Монтаж:
THT