1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Тиристори
  4. Тиристори окремі
  5. Тиристори SMD/THT

Тиристор: стандартний; 400В; Ifмакс: 0,8А; 0,5А; Igt: 200мкА; SOT223

Тиристор: стандартний; 400В; Ifмакс: 0,8А; 0,5А; Igt: 200мкА; SOT223
Немає в наявності
Код товару: FS0103DN 00RB
5,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: FS0103DN 00RB
Виробник: FAGOR
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: sensitive gate
Зворотна напруга макс.: 0,4кВ
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Струм вентиля: 0,2мА
Струм в імпульсі макс.: 7А
Струм провідності: 0,5А
Струм провідності макс.: 0,8А
Тип тиристора: стандартний
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 3,3МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 1,13кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RK73H; 25В
Резистор: thick film; 1,13кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RK73H; 25В

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
IC: цифровий; NAND; Ch: 1; IN: 8; CMOS; SMD; DHVQFN14; 2÷5,5ВDC; 40мкА
IC: цифровий; NAND; Ch: 1; IN: 8; CMOS; SMD; DHVQFN14; 2÷5,5ВDC; 40мкА

0,00 грн

Вид затвору:
NAND
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
single; 1
Корпус:
DHVQFN14
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 40А; Idm: 70А; 39Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 40А; Idm: 70А; 39Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Наконечник: кільцевий; M4; 2,5÷6мм2; затискання; для проводу
Наконечник: кільцевий; M4; 2,5÷6мм2; затискання; для проводу

15,65 грн

Версія наконечника:
неізольований
Внутрішній діаметр кільця:
4,3мм
Електричний монтаж:
затискання
Матеріал контакту:
сплав міді
Недоступний
Резистор: thick film; 26,1кОм; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 26,1кОм; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
26,1кОм
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 10А; 6,4А; Igt: 15мА; TO220AB
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 10А; 6,4А; Igt: 15мА; TO220AB

67,79 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Тиристор: стандартний; 1,2кВ; Ifмакс: 79А; 50А; Igt: 50мА; TO247AD
Тиристор: стандартний; 1,2кВ; Ifмакс: 79А; 50А; Igt: 50мА; TO247AD

406,11 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TO247AD
Монтаж:
THT
Тиристор: стандартний; 1,2кВ; Ifмакс: 30А; 19А; Igt: 50мА; TOP3; THT
Тиристор: стандартний; 1,2кВ; Ifмакс: 30А; 19А; Igt: 50мА; TOP3; THT

475,17 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TOP3
Монтаж:
THT
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 20А; 12,8А; Igt: 30мА; THT; туба
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 20А; 12,8А; Igt: 30мА; THT; туба

121,01 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220ABIns
Тиристор: стандартний; 400В; Ifмакс: 4А; 2,55А; Igt: 0,2мА; TO225AA
Тиристор: стандартний; 400В; Ifмакс: 4А; 2,55А; Igt: 0,2мА; TO225AA

72,23 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
TO225AA
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 4А; 2,5А; Igt: 15мА; TO220AB
Тиристор: стандартний; 800В; Ifмакс: 4А; 2,5А; Igt: 15мА; TO220AB

15,21 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 4А; 2,5А; Igt: 0,2мА; TO126; THT
Тиристор: стандартний; 600В; Ifмакс: 4А; 2,5А; Igt: 0,2мА; TO126; THT

8,24 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO126
Монтаж:
THT