Тиристор: таблетковий; 1,6кВ; Ifмакс: 2,8кА; 1,19кА; Igt: 250мА

Немає в наявності
Код товару: T1190N16TOFVTXPSA1
13431,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: T1190N16TOFVTXPSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид упаковки: лоток
Властивості напівпровідникових елементів: phase control thyristor (PCT)
Зворотна напруга макс.: 1,6кВ
Корпус: BG-T7526K-1
Монтаж: Press-Pack
Розміри корпусу: Ø75/Ø50мм
Струм вентиля: 250мА
Струм в імпульсі макс.: 22,5кА
Струм провідності: 1,19кА
Струм провідності макс.: 2,8кА
Тип тиристора: таблетковий
Недоступний
Резистор: thin film; 102Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 102Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
PIN: 4; ПВХ; чорний; луджений; 6,7мм; 14AWG
PIN: 4; ПВХ; чорний; луджений; 6,7мм; 14AWG

557,53 грн

Діаметр жили:
14AWG
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Вентилятор: DC; 80x80x25мм; осьовий; 12ВDC; 96,8м3/г; 46дБА; IP68
Вентилятор: DC; 80x80x25мм; осьовий; 12ВDC; 96,8м3/г; 46дБА; IP68

933,86 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 2кВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 2кВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210

112,77 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,1нФ
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Модуль: RF; рація AM; AM,ASK; 433,92МГц; -110дБм; 3ВDC; 15/7мА; Ch: 1
Модуль: RF; рація AM; AM,ASK; 433,92МГц; -110дБм; 3ВDC; 15/7мА; Ch: 1

699,44 грн

Вид модуля:
рація AM
Вид модуляції:
AM; ASK
Кількість каналів:
1
Напруга живлення:
3В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 22,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В
Резистор: thick film; 22,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Тиристор: таблетковий; 800В; Ifмакс: 1100А; 700А; Igt: 150мА; 7мкс
Тиристор: таблетковий; 800В; Ifмакс: 1100А; 700А; Igt: 150мА; 7мкс

5252,16 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO200AB
Монтаж:
Press-Pack
Тиристор: таблетковий; 2,4кВ; Ifмакс: 1570А; 1кА; Igt: 200мА; A24
Тиристор: таблетковий; 2,4кВ; Ifмакс: 1570А; 1кА; Igt: 200мА; A24

9854,93 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
2,4кВ
Корпус:
A24
Монтаж:
Press-Pack
Тиристор: таблетковий; 1,8кВ; Ifмакс: 1,6кА; 760А; Igt: 200мА; SK760
Тиристор: таблетковий; 1,8кВ; Ifмакс: 1,6кА; 760А; Igt: 200мА; SK760

5121,01 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,8кВ
Корпус:
TO200AC
Монтаж:
Press-Pack
Тиристор: таблетковий; 1,6кВ; Ifмакс: 700А; 340А; Igt: 150мА; SKT340
Тиристор: таблетковий; 1,6кВ; Ifмакс: 700А; 340А; Igt: 150мА; SKT340

2350,48 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
TO200AB
Монтаж:
Press-Pack
Тиристор: таблетковий; 1,6кВ; 1,2кА; Igt: 250мА; B14 (D74x26)
Тиристор: таблетковий; 1,6кВ; 1,2кА; Igt: 250мА; B14 (D74x26)

9250,52 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
B14 (D74x26)
Монтаж:
Press-Pack
Тиристор: таблетковий; 4,5кВ; 616А; W10; Ø58,5/Ø34мм; Press-Pack
Тиристор: таблетковий; 4,5кВ; 616А; W10; Ø58,5/Ø34мм; Press-Pack

7252,92 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
phase control thyristor (PCT)
Зворотна напруга макс.:
4,5кВ
Корпус:
W10
Тиристор: таблетковий; 6,5кВ; Ifмакс: 1,15кА; 730А; Igt: 400мА
Тиристор: таблетковий; 6,5кВ; Ifмакс: 1,15кА; 730А; Igt: 400мА

26674,51 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
phase control thyristor (PCT)
Зворотна напруга макс.:
6,5кВ
Монтаж:
Press-Pack
Розміри корпусу:
Ø75/Ø47мм