Тиристор: таблетковий; 4,5кВ; Ifмакс: 330А; 210А; Igt: 2А; Ø60/Ø34мм

Немає в наявності
Код товару: 5SGA 06D4502
105570,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 5SGA 06D4502
Виробник: ABB
Властивості напівпровідникових елементів: gate turn-off thyristor (GTO)
Зворотна напруга макс.: 4,5кВ
Монтаж: Press-Pack
Розміри корпусу: Ø60/Ø34мм
Струм вентиля: 2А
Струм в імпульсі макс.: 3кА
Струм провідності: 210А
Струм провідності макс.: 330А
Тип тиристора: таблетковий
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,63 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Резистор: thick film; 4,3кОм; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,3кОм; 0805; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

1,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 249Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 249Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; NQ; 200В

0,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 48А; Idm: 120А; 56,8Вт; QFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 48А; Idm: 120А; 56,8Вт; QFN5x6

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
QFN5x6
Недоступний
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; -55÷155°C

0,87 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Насадка: шестигранний-bit; HEX 5мм; 1/2"; хром-ванадієва сталь
Насадка: шестигранний-bit; HEX 5мм; 1/2"; хром-ванадієва сталь

527,12 грн

Загальна довжина:
60мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/2"
Розмір грота:
HEX 5мм
Резистор: thin film; 76,8Ом; 2,06x1,27x0,51мм
Резистор: thin film; 76,8Ом; 2,06x1,27x0,51мм

21,48 грн

Опір:
76,8Ом
Розміри корпусу:
2,06x1,27x0,51мм
Тип резистора:
thin film
Тиристор: таблетковий; 1,8кВ; Ifмакс: 1,2кА; 550А; Igt: 250мА
Тиристор: таблетковий; 1,8кВ; Ifмакс: 1,2кА; 550А; Igt: 250мА

3928,67 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,8кВ
Корпус:
TO200AB
Монтаж:
Press-Pack
Тиристор: таблетковий; 600В; Ifмакс: 1730А; 1100А; Igt: 200мА
Тиристор: таблетковий; 600В; Ifмакс: 1730А; 1100А; Igt: 200мА

5979,48 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Монтаж:
Press-Pack
Розміри корпусу:
Ø74,5/Ø47мм
Тиристор: таблетковий; 2,8кВ; Ifмакс: 1100А; 640А; Igt: 400мА
Тиристор: таблетковий; 2,8кВ; Ifмакс: 1100А; 640А; Igt: 400мА

10660,81 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
phase control thyristor (PCT)
Зворотна напруга макс.:
2,8кВ
Монтаж:
Press-Pack
Розміри корпусу:
Ø60/Ø34мм
Тиристор: таблетковий; 2,8кВ; Ifмакс: 2,21кА; 1,4кА; Igt: 400мА
Тиристор: таблетковий; 2,8кВ; Ifмакс: 2,21кА; 1,4кА; Igt: 400мА

16772,70 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
phase control thyristor (PCT)
Зворотна напруга макс.:
2,8кВ
Монтаж:
Press-Pack
Розміри корпусу:
Ø74,5/Ø47мм
Тиристор: таблетковий; 1,2кВ; Ifмакс: 1,6кА; 760А; Igt: 200мА; SK760
Тиристор: таблетковий; 1,2кВ; Ifмакс: 1,6кА; 760А; Igt: 200мА; SK760

4801,70 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TO200AC
Монтаж:
Press-Pack
Тиристор: таблетковий; 1,6кВ; Ifмакс: 1,6кА; 760А; Igt: 200мА; SK760
Тиристор: таблетковий; 1,6кВ; Ifмакс: 1,6кА; 760А; Igt: 200мА; SK760

5036,75 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
TO200AC
Монтаж:
Press-Pack
Тиристор: таблетковий; 800В; Ifмакс: 1100А; 700А; Igt: 150мА; 7мкс
Тиристор: таблетковий; 800В; Ifмакс: 1100А; 700А; Igt: 150мА; 7мкс

5252,16 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO200AB
Монтаж:
Press-Pack