Тиристор: таблетковий; 6,5кВ; Ifмакс: 2,48кА; 1,58кА; Igt: 400мА

Немає в наявності
Код товару: 5STB 18U6500
157001,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 5STB 18U6500
Виробник: ABB
Властивості напівпровідникових елементів: bi-directional controlled thyristor (BCT)
Зворотна напруга макс.: 6,5кВ
Монтаж: Press-Pack
Розміри корпусу: Ø172/Ø110мм
Струм вентиля: 400мА
Струм в імпульсі макс.: 29,7кА
Струм провідності: 1,58кА
Струм провідності макс.: 2,48кА
Тип тиристора: таблетковий
Недоступний
Резистор: thick film; 16,9кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,5%; 50В
Резистор: thick film; 16,9кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,5%; 50В

0,10 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Конденсатор: електролітичний; THT; 100мкФ; 250ВDC; Ø16x30мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 100мкФ; 250ВDC; Ø16x30мм; ±20%

58,60 грн

Висота:
30мм
Властивості конденсаторів:
висока довговічність
Діаметр:
16мм
Допуск:
±20%
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 1,8÷5,5ВDC; Uвих: 3,3ВDC; 0,8А; SMD
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 1,8÷5,5ВDC; Uвих: 3,3ВDC; 0,8А; SMD

141,92 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
0,8А
Недоступний
Резистор: thick film; 200Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 200Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; RC; -55÷155°C

0,00 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Connector: wire-board; socket; female; data; Mini; tinned; straight
Connector: wire-board; socket; female; data; Mini; tinned; straight

0,65 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Матеріал контакту:
фосфориста бронза
Резистор: thin film; 150Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 150Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

1,96 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
150Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 18,2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 18,2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,15 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Тиристор: таблетковий; 1,6кВ; 1,2кА; Igt: 250мА; B14 (D74x26)
Тиристор: таблетковий; 1,6кВ; 1,2кА; Igt: 250мА; B14 (D74x26)

9250,52 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
B14 (D74x26)
Монтаж:
Press-Pack
Тиристор: таблетковий; 6,5кВ; Ifмакс: 1,15кА; 730А; Igt: 400мА
Тиристор: таблетковий; 6,5кВ; Ifмакс: 1,15кА; 730А; Igt: 400мА

26674,51 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
phase control thyristor (PCT)
Зворотна напруга макс.:
6,5кВ
Монтаж:
Press-Pack
Розміри корпусу:
Ø75/Ø47мм
Тиристор: таблетковий; 4,5кВ; 616А; W10; Ø58,5/Ø34мм; Press-Pack
Тиристор: таблетковий; 4,5кВ; 616А; W10; Ø58,5/Ø34мм; Press-Pack

7252,92 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
phase control thyristor (PCT)
Зворотна напруга макс.:
4,5кВ
Корпус:
W10
Тиристор: таблетковий; 1,2кВ; Ifмакс: 700А; 340А; Igt: 150мА; SKT340
Тиристор: таблетковий; 1,2кВ; Ifмакс: 700А; 340А; Igt: 150мА; SKT340

2526,61 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TO200AB
Монтаж:
Press-Pack
Тиристор: таблетковий; 800В; Ifмакс: 4,139кА; 2,083кА; Igt: 300мА
Тиристор: таблетковий; 800В; Ifмакс: 4,139кА; 2,083кА; Igt: 300мА

13968,59 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
phase control thyristor (PCT)
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
WP2
Тиристор: таблетковий; 1,2кВ; Ifмакс: 942А; 600А; Igt: 200мА
Тиристор: таблетковий; 1,2кВ; Ifмакс: 942А; 600А; Igt: 200мА

3317,29 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Монтаж:
Press-Pack
Розміри корпусу:
Ø42/Ø25мм
Тиристор: таблетковий; 1,8кВ; Ifмакс: 1,2кА; 550А; Igt: 250мА
Тиристор: таблетковий; 1,8кВ; Ifмакс: 1,2кА; 550А; Igt: 250мА

3928,67 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,8кВ
Корпус:
TO200AB
Монтаж:
Press-Pack