1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Тиристори
  4. Тиристори окремі
  5. Тиристори інші

Тиристор: TSS; Urmax: 180В; SMB; SMD; 100А; двоспрямована; UBO: 219В

Тиристор: TSS; Urmax: 180В; SMB; SMD; 100А; двоспрямована; UBO: 219В
Немає в наявності
Код товару: TISP4219H3BJR-S
36,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TISP4219H3BJR-S
Виробник: BOURNS
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.: 180В
Корпус: SMB
Монтаж: SMD
Напруга перемикання: 219В
Серія виробника: TISP4xxxHx
Структура напівпровідника: двоспрямована
Струм в імпульсі макс.: 100А
Тип тиристора: TSS
Недоступний
Резистор: thick film; 21кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 21кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 200В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 200В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

1,71 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 47кОм; 2010; 750мВт; ±1%; 400В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 47кОм; 2010; 750мВт; ±1%; 400В; -55÷155°C

5,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 20ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 20ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; TAJ

38,20 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Ємність:
100мкФ
Корпус:
D
Недоступний
Резистор: thick film; 47Ом; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 47Ом; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
47Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,1пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,1пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 1,2нФ; 100В; X8G; ±5%; THT; 2,5мм
Конденсатор: керамічний; 1,2нФ; 100В; X8G; ±5%; THT; 2,5мм

4,31 грн

Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Ємність:
1,2нФ
Монтаж:
THT
Тиристор: AC switch; 800В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 10мА; SOT223; SMD; ASD™
Тиристор: AC switch; 800В; Ifмакс: 0,8А; Igt: 10мА; SOT223; SMD; ASD™

44,98 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
internally triggered
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
К-ть перемикачів:
1
Тиристор: AC switch; 700В; Ifмакс: 12А; Igt: 10мА; D2PAK; SMD; ASD™
Тиристор: AC switch; 700В; Ifмакс: 12А; Igt: 10мА; D2PAK; SMD; ASD™

148,89 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
700В
К-ть перемикачів:
1
Корпус:
D2PAK
Тиристор: AC switch; 800В; Ifмакс: 16А; Igt: 35мА; TO220FP; THT; ASD™
Тиристор: AC switch; 800В; Ifмакс: 16А; Igt: 35мА; TO220FP; THT; ASD™

137,48 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
К-ть перемикачів:
1
Корпус:
TO220FP
Тиристор: TSS; Urmax: 65В; TO92; THT; 25А; SIDACtor®; UBO: 88В
Тиристор: TSS; Urmax: 65В; TO92; THT; 25А; SIDACtor®; UBO: 88В

93,77 грн

Вид упаковки:
розсипний
Використання:
baseband equipment
Зворотна напруга макс.:
65В
Корпус:
TO92
Тиристор: Sidak; 1А; DO15; 270÷330В; THT; розсипний; Kxxxzy
Тиристор: Sidak; 1А; DO15; 270÷330В; THT; розсипний; Kxxxzy

97,57 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
DO15
Монтаж:
THT
Напруга перемикання:
270...330В
Тиристор: BOD x3; 0,2А; BOD; THT; 2,6кВ; розсипний
Тиристор: BOD x3; 0,2А; BOD; THT; 2,6кВ; розсипний

5091,87 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
version RD (internal diode)
Корпус:
BOD
Монтаж:
THT
Тиристор: Sidak; 1А; DO15; 220÷250В; THT; розсипний; двоспрямована
Тиристор: Sidak; 1А; DO15; 220÷250В; THT; розсипний; двоспрямована

97,57 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
DO15
Монтаж:
THT
Напруга перемикання:
220...250В