Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 140А; 600Вт; TO268HV

Немає в наявності
Код товару: IXYT40N120A4HV-TRL
323,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 400
Крок додавання: 400
Код товару: IXYT40N120A4HV-TRL
Виробник: IXYS
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TO268HV
Монтаж: SMD
Напруги колектор-емітер: 1,2кВ
Потужність розсіювання: 600Вт
Струм колектора: 140А
Тип транзистора: IGBT
M20; IP68; brass; HSK-MZ-PVDF; Cable gland: cable
M20; IP68; brass; HSK-MZ-PVDF; Cable gland: cable

577,80 грн

Вид різьблення:
метрична
Довжина гвинта:
6мм
Зовнішній діаметр проводу:
6...12мм
Клас герметичності:
IP68
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 26А; Idm: 120А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 26А; Idm: 120А; 74Вт

396,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO247-3
Індикатор: LED; опукла; червоний; IP67; 658; 20мА
Індикатор: LED; опукла; червоний; IP67; 658; 20мА

1900,03 грн

Вид індикатора:
опукла
Клас герметичності:
IP67
Колір індикатора:
червоний
Серія виробника:
658
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 370Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 370Вт; D2PAK

125,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
D2PAK
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,75А; 0,28Вт; SC70,SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,75А; 0,28Вт; SC70,SOT323

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,2нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 2; штекерний; екранований,з проводами
Кабель: до датчиків; PIN: 2; штекерний; екранований,з проводами

1269,64 грн

Довжина кабелю:
5м
Кількість пін:
2
Клас герметичності:
IP67
Компоненти:
702
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,5пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,5пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201

1,85 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
6,5пФ
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263

179,93 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268

468,20 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252; Eвикл: 0,049мДж

44,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,049мДж
Енергія включення:
0,081мДж
Заряд затвора:
9,2нКл
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 150Вт; TO268

790,68 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO268
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвикл: 0,09мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252; Eвикл: 0,09мДж

15,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Енергія виключення:
0,09мДж
Енергія включення:
0,12мДж
Заряд затвора:
14нКл
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 62Вт; DPAK
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 62Вт; DPAK

95,67 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK