Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 330Вт; TO247-3

Name: Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 330Вт; TO247-3
Brand: DIOTEC SEMICONDUCTOR
SKU: DIW040M120
Price: 312.34 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: DIW040M120

312,34 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

DIW040M120

Виробник:

DIOTEC SEMICONDUCTOR

Вид упаковки:

туба

Властивості напівпровідникових елементів:

integrated anti-parallel diode

Заряд затвора:

330нКл

Корпус:

TO247-3

Монтаж:

THT

Напруга затвор - емітер:

±20В

Напруги колектор-емітер:

1,2кВ

Потужність розсіювання:

330Вт

Струм колектора:

40А

Струм колектора в імпульсі:

160А

Тип транзистора:

IGBT

Час ввімкнення:

69нс

Час вимкнення:

337нс

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 200Вт; TO247-3

193,23 грн

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode

Заряд затвора:
0,14мкКл

Корпус:
TO247-3

Бажані

Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 483Вт; TO247-3; H3

287,63 грн

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247-3

Монтаж:
THT

Напруга затвор - емітер:
±20В

Бажані

Транзистор: IGBT; Planar; 1,2кВ; 13А; 85Вт; TO247-3

260,39 грн

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
27нКл

Корпус:
TO247-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: IGBT; GenX3™; 900В; 50А; 400Вт; TO247-3

935,76 грн

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
135нКл

Корпус:
TO247-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 65А; 1,04кВт; PLUS247™

1493,92 грн

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний

Заряд затвора:
358нКл

Корпус:
PLUS247™

Бажані

Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 72А; 540Вт; TO247-3

552,46 грн

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
230нКл

Корпус:
TO247-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 50А; 600Вт; TO247-3

763,43 грн

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
80нКл

Корпус:
TO247-3

Монтаж:
THT