Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 75А; 256Вт; TO247-3; H3

Немає в наявності
Код товару: IKQ75N120CH3XKSA1
674,73 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IKQ75N120CH3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: integrated anti-parallel diode
Заряд затвора: 0,37мкКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 1,2кВ
Потужність розсіювання: 256Вт
Серія виробника: H3
Струм колектора: 75А
Струм колектора в імпульсі: 300А
Тип транзистора: IGBT
Недоступний
Провід; EcoWire®; EcoGen®,HookUp Wire; тросик; Cu; 24AWG; MPPE
Провід; EcoWire®; EcoGen®,HookUp Wire; тросик; Cu; 24AWG; MPPE

6853,78 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
EcoGen®; HookUp Wire
Недоступний
Резистор: thick film; 680Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 680Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
680Ом
IC: пам'ять EEPROM; 64кбEEPROM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; PLCC32; 150нс
IC: пам'ять EEPROM; 64кбEEPROM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; PLCC32; 150нс

297,77 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Кількість циклів макс.:
10к
Корпус:
PLCC32
Недоступний
Резистор: thin film; 180кОм; THT; 250мВт; ±1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 180кОм; THT; 250мВт; ±1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

19,26 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±1%
Діод: TVS; 400Вт; 13В; односпрямована; ±5%; DO15; BZW04; Ammo Pack
Діод: TVS; 400Вт; 13В; односпрямована; ±5%; DO15; BZW04; Ammo Pack

9,12 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
11,1В
Корпус:
DO15
Незалежний розчіплювач; 24ВAC; бічний
Незалежний розчіплювач; 24ВAC; бічний

2435,38 грн

Монтаж:
бічний
Номінальна напруга:
24В AC
Тип захисного пристрою:
незалежний розчіплювач
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SMPC,TO277A; SMD; 60В; 7А
Діод: випрямний Шотткі; SMPC,TO277A; SMD; 60В; 7А

18,88 грн

Зворотна напруга макс.:
60В
Корпус:
SMPC; TO277A
Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
0,55В
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 200Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 200Вт; TO247-3

218,58 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 170Вт; TO247-3; H3
Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 170Вт; TO247-3; H3

150,79 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±20В
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 20А; 180Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 20А; 180Вт; TO247-3

442,22 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN

282,56 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Корпус:
TO3PN
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3

1005,45 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 141Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 141Вт; TO247-3

205,27 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 80А; 197Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 80А; 197Вт; TO247-3

243,28 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
164нКл
Корпус:
TO247-3