Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK; Властивості: logic level

Немає в наявності
Код товару: NGB8207ABNT4G
81,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NGB8207ABNT4G
Виробник: LITTELFUSE
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: системи запалювання
Властивості напівпровідникових елементів: logic level
Корпус: D2PAK
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор - емітер: ±15В
Напруги колектор-емітер: 365В
Потужність розсіювання: 165Вт
Струм колектора: 20А
Струм колектора в імпульсі: 50А
Тип транзистора: IGBT
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 13,3÷14,7В; 30,2А; односпрямована; SMB; SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 13,3÷14,7В; 30,2А; односпрямована; SMB; SMBJ

18,37 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
12В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 44,4В; 8,4А; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 44,4В; 8,4А; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

13,68 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
40В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; VQFN40; I2C,JTAG,SPI,UART; 1,8÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер MSP430; VQFN40; I2C,JTAG,SPI,UART; 1,8÷3,6ВDC

0,00 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); watchdog; внутрішній датчик температури
Інтерфейс:
I2C; JTAG; SPI; UART
Кількість каналів PWM:
6
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 33нФ; 1кВ; X7R; ±10%; THT; 5мм; 7,5x5,5x4мм
Конденсатор: керамічний; 33нФ; 1кВ; X7R; ±10%; THT; 5мм; 7,5x5,5x4мм

14,25 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
33нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,3пФ; 250В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,3пФ; 250В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0805

10,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
8,3пФ
Транзистор: IGBT; 600В; 19А; 130Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 600В; 19А; 130Вт; D2PAK

117,21 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
53нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 5А; 28Вт; DPAK; Властивості: logic level
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 5А; 28Вт; DPAK; Властивості: logic level

111,51 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
системи запалювання
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,7нКл
Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 83Вт; DPAK
Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 83Вт; DPAK

67,16 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; D3PAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; D3PAK

944,63 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D3PAK
Транзистор: IGBT; 600В; 18А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 600В; 18А; 110Вт; D2PAK

143,18 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 30А; 300Вт; TO263
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 30А; 300Вт; TO263

582,87 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
87нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 15А; 200Вт; TO263
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 15А; 200Вт; TO263

144,45 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD