Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 38Вт; TO3PFM

Немає в наявності
Код товару: RGTV60TK65DGVC11
195,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RGTV60TK65DGVC11
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: integrated anti-parallel diode
Заряд затвора: 64нКл
Корпус: TO3PFM
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±30В
Напруги колектор-емітер: 650В
Потужність розсіювання: 38Вт
Струм колектора: 20А
Струм колектора в імпульсі: 120А
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 45нс
Час вимкнення: 201нс
Недоступний
Датчик: тиску; 0÷30psi; зразковий; OUT: I2C; Uживл: 3,3ВDC; SMT; ABP
Датчик: тиску; 0÷30psi; зразковий; OUT: I2C; Uживл: 3,3ВDC; SMT; ABP

1872,15 грн

Діапазон вимірювання тиску:
0...30psi
Конфігурація виходу:
I2C
Монтаж:
SMT
Напруга живлення:
3,3В DC
Недоступний
Роз’єм: затискна планка; гніздовий; SKH; DIN 41612; -40÷60°C
Роз’єм: затискна планка; гніздовий; SKH; DIN 41612; -40÷60°C

4264,45 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Застосування - серія/виробник:
DIN 41612
Робоча температура:
0...55°C
Серія виробника:
SKH
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 5600мкФ; 6,3ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 5600мкФ; 6,3ВDC; ±20%

34,21 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Властивості конденсаторів:
висока надійність; компактні розміри корпусу
Діаметр:
18мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; -12ВDC; Iвих: 83мА; Iвих.2: 83мА; SIP; THT
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; -12ВDC; Iвих: 83мА; Iвих.2: 83мА; SIP; THT

Використання:
IT
Вихідна напруга:
12В
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
83мА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9пФ
Недоступний
З`єднання: на рейку; PTS; PA; затиски: 4; W: 6,2мм; H: 96мм
З`єднання: на рейку; PTS; PA; затиски: 4; W: 6,2мм; H: 96мм

132,41 грн

Висота:
96мм
Кількість клем:
4
Клас горючості:
UL94V-0
Колір корпусу:
синій
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 50мА; 360мВт
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 50мА; 360мВт

3237,46 грн

Напруга сток-джерело:
30В
Опір в стані провідності:
25Ом
Потужність розсіювання:
0,36Вт
Струм стока:
50мА
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 326Вт; TO247-3; H3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 326Вт; TO247-3; H3

260,39 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±20В
Транзистор: IGBT; 650В; 45А; 125Вт; TO220-3; F5
Транзистор: IGBT; 650В; 45А; 125Вт; TO220-3; F5

146,98 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±20В
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 48А; 300Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 48А; 300Вт; TO247-3

642,42 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 220Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 220Вт; TO247-3

251,52 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 115Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 115Вт; TO247-3

178,66 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
193нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 15А; 100Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 15А; 100Вт; TO247-3

175,49 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 20А; 230Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 20А; 230Вт; TO247-3

556,89 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
53нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT