Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 62,5Вт; D2PAK

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IKB20N65EH5ATMA1
148,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IKB20N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: integrated anti-parallel diode
Заряд затвора: 48нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 650В
Потужність розсіювання: 62,5Вт
Струм колектора: 25А
Струм колектора в імпульсі: 60А
Технологія: TRENCHSTOP™ 5
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 40нс
Час вимкнення: 183нс
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 68мкФ; 16ВDC; SMD; C; 2312; ±10%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 68мкФ; 16ВDC; SMD; C; 2312; ±10%; -55÷125°C

21,73 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Ємність:
68мкФ
Корпус:
C
Резистор: thick film; 47Ом; CHP; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 47Ом; CHP; 100ppm/°C

15,52 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Опір:
47Ом
Серія виробника:
CHP
Температурний коефіцієнт:
100ppm/°C
Недоступний
IC: цифровий потенціометр; Up/Down Protocol; 10кОм; 7бит; SO8; SMD
IC: цифровий потенціометр; Up/Down Protocol; 10кОм; 7бит; SO8; SMD

198,92 грн

Max DNL:
±0,4LSB
Max INL:
±0,5LSB
Вид пам’яті:
енергозал.
Вид упаковки:
туба
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 34; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 34; THT; straight

35,48 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
19,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

4,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,2пФ
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 5А; 28Вт; DPAK; Властивості: logic level
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 5А; 28Вт; DPAK; Властивості: logic level

111,50 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
системи запалювання
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,7нКл
Транзистор: IGBT; 600В; 19А; 130Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 600В; 19А; 130Вт; D2PAK

117,20 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
53нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 30А; 300Вт; TO263
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 30А; 300Вт; TO263

582,82 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
87нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 15А; 200Вт; TO263
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 15А; 200Вт; TO263

144,44 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 83Вт; DPAK
Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 83Вт; DPAK

67,15 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; D3PAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; D3PAK

944,54 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D3PAK
Транзистор: IGBT; 600В; 18А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 600В; 18А; 110Вт; D2PAK

143,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
D2PAK