Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 87Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: RGTH50TS65DGC11
243,92 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RGTH50TS65DGC11
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: integrated anti-parallel diode
Заряд затвора: 49нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±30В
Напруги колектор-емітер: 650В
Потужність розсіювання: 87Вт
Струм колектора: 25А
Струм колектора в імпульсі: 100А
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 65нс
Час вимкнення: 172нс
Недоступний
Оптотріак; 5кВ; симистор; SMD6; Колір: чорний
Оптотріак; 5кВ; симистор; SMD6; Колір: чорний

11,40 грн

Вид виходу:
симистор
Колір корпусу:
чорний
Корпус:
SMD6
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7пФ
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 160В; 2,8А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; TPSMB
Діод: TVS; 600Вт; 160В; 2,8А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; TPSMB

54,49 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
136В
Недоступний
Діод: TVS; 6,5кВт; 20В; односпрямована; Ch: 1; MPLAD; -55÷150°C
Діод: TVS; 6,5кВт; 20В; односпрямована; Ch: 1; MPLAD; -55÷150°C

244,55 грн

Зворотна напруга макс.:
18В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
20В
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 400В; 5А; Ifsm: 100А; ролик,cтрічка; Ir: 1мкА
Діод: випрямний; THT; 400В; 5А; Ifsm: 100А; ролик,cтрічка; Ir: 1мкА

310,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
1,2В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,59 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,2пФ
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 750нГн; ±20%; V; 11x10x3,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 750нГн; ±20%; V; 11x10x3,8мм

18,44 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
750нГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
11x10x3,8мм
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 82Вт; TO220; Eвикл: 0,07мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 82Вт; TO220; Eвикл: 0,07мДж

91,23 грн

Вид упаковки:
туба
Енергія виключення:
0,07мДж
Енергія включення:
0,26мДж
Заряд затвора:
17,4нКл
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; TO247-3

212,24 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±20В
Транзистор: IGBT; 600В; 14А; 80Вт; TO220AB
Транзистор: IGBT; 600В; 14А; 80Вт; TO220AB

105,80 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 167Вт; TO247-3; H3
Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 167Вт; TO247-3; H3

333,88 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
315нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN

282,56 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Корпус:
TO3PN
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3

1005,45 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 141Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 141Вт; TO247-3

205,27 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
TO247-3