Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 227Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: WG50N65HFW1Q
167,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WG50N65HFW1Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: integrated anti-parallel diode
Заряд затвора: 138нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 650В
Потужність розсіювання: 227Вт
Струм колектора: 50А
Струм колектора в імпульсі: 150А
Тип транзистора: IGBT
Недоступний
Затискна обійма; L: 361мм; W: 4,8мм; чорний; поліамід; 222Н; UL94V-2
Затискна обійма; L: 361мм; W: 4,8мм; чорний; поліамід; 222Н; UL94V-2

13,68 грн

Діаметр петлі max:
102мм
Довжина:
361мм
Клас горючості:
UL94V-2
Колір:
чорний
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; 10А; 10A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; 10А; 10A/250ВAC

37,38 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість пін:
4
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 82Вт; TO220; Eвикл: 0,07мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 82Вт; TO220; Eвикл: 0,07мДж

91,23 грн

Вид упаковки:
туба
Енергія виключення:
0,07мДж
Енергія включення:
0,26мДж
Заряд затвора:
17,4нКл
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; TO247-3

212,24 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±20В
Транзистор: IGBT; 600В; 14А; 80Вт; TO220AB
Транзистор: IGBT; 600В; 14А; 80Вт; TO220AB

105,80 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 167Вт; TO247-3; H3
Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 167Вт; TO247-3; H3

333,88 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
315нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN

282,56 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Корпус:
TO3PN
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3

1005,45 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 141Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 141Вт; TO247-3

205,27 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
TO247-3