Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 305Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: IGW50N65H5FKSA1
178,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IGW50N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид упаковки: туба
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 650В
Потужність розсіювання: 305Вт
Струм колектора: 50А
Тип транзистора: IGBT
Недоступний
Діод: TVS; 6,5кВт; 20В; односпрямована; Ch: 1; MPLAD; -55÷150°C
Діод: TVS; 6,5кВт; 20В; односпрямована; Ch: 1; MPLAD; -55÷150°C

244,55 грн

Зворотна напруга макс.:
18В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
20В
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 400В; 5А; Ifsm: 100А; ролик,cтрічка; Ir: 1мкА
Діод: випрямний; THT; 400В; 5А; Ifsm: 100А; ролик,cтрічка; Ir: 1мкА

310,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Монтаж:
THT
Пряма напруга макс.:
1,2В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,59 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,2пФ
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 750нГн; ±20%; V; 11x10x3,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 750нГн; ±20%; V; 11x10x3,8мм

18,44 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
750нГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
11x10x3,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; Indess; 3A; PIN: 10
Connector: pin strips; socket; female; data; Indess; 3A; PIN: 10

48,15 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 1206

4,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN

282,56 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Корпус:
TO3PN
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3

1005,45 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 141Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 141Вт; TO247-3

205,27 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 80А; 197Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 80А; 197Вт; TO247-3

243,28 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
164нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; NPT; 2,5кВ; 2А; 32Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; NPT; 2,5кВ; 2А; 32Вт; TO247-3

924,99 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; HiPerFAST™; 900В; 50А; 400Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; HiPerFAST™; 900В; 50А; 400Вт; TO247-3

405,47 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 120А; 1,5кВт; PLUS247™
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 120А; 1,5кВт; PLUS247™

1409,02 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
400нКл
Корпус:
PLUS247™
Монтаж:
THT