Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 198Вт; TO247-3; H5

Немає в наявності
Код товару: IKW75N65EH5XKSA1
334,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IKW75N65EH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: integrated anti-parallel diode
Заряд затвора: 160нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 650В
Потужність розсіювання: 198Вт
Серія виробника: H5
Струм колектора: 75А
Струм колектора в імпульсі: 300А
Технологія: TRENCHSTOP™ 5
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 61нс
Час вимкнення: 215нс
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; високої потужності; SMD; 4527; 6Вт
Резистор: thick film; 4,7кОм; високої потужності; SMD; 4527; 6Вт

14,83 грн

Вид резистора:
високої потужності
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Недоступний
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,01мкФ; 630ВDC; 12,5x4,5x12,5мм
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,01мкФ; 630ВDC; 12,5x4,5x12,5мм

7,54 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
10нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
10мм
Наконечник; зігнутий конус; 0,3x3мм; з нагрівачем
Наконечник; зігнутий конус; 0,3x3мм; з нагрівачем

2322,61 грн

Застосування паяльного обладнання:
для гарячих мікрощипців; до паяльної станції
Модель:
з нагрівачем
Розміри наконечника:
0,3x3мм
Супутні товари:
JBC-CP-2A; JBC-DMPSD-2QA; JBC-DMPSE-2QB; JBC-DMPSE-2QC; JBC-PA-A; JBC-SCH-A
Недоступний
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷5м; PNP/NPN/push pull
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷5м; PNP/NPN/push pull

14174,50 грн

Властивості датчиків:
програмований
Дальність:
0...5м
Додаткові функції:
IO-Link; Teach-Turn
Зовнішні розміри:
20x55,7x42мм
Молоток; слюсарний; 2кг; дерево (ясен)
Молоток; слюсарний; 2кг; дерево (ясен)

654,46 грн

Вага головки:
2кг
Вид інструменту:
слюсарний
Матеріал держака:
дерево (ясен)
Тип інструмента:
молоток
Недоступний
Резистор: thick film; 91Ом; високої потужності; SMD; 0805; 0,3Вт
Резистор: thick film; 91Ом; високої потужності; SMD; 0805; 0,3Вт

0,40 грн

Вид резистора:
високої потужності
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Діод: TVS; 46,5В; 6А; односпрямована; SOD323; Ch: 1
Діод: TVS; 46,5В; 6А; односпрямована; SOD323; Ch: 1

2,43 грн

Ємність:
60пФ
Зворотна напруга макс.:
36В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOD323
Транзистор: IGBT; 600В; 60А; 416Вт; TO247-3; H3
Транзистор: IGBT; 600В; 60А; 416Вт; TO247-3; H3

386,47 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
375нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 20А; 180Вт; TO220-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 20А; 180Вт; TO220-3

423,85 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
51нКл
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; 1,35кВ; 20А; 170Вт; TO247; 1,05мДж
Транзистор: IGBT; 1,35кВ; 20А; 170Вт; TO247; 1,05мДж

235,05 грн

Вид упаковки:
туба
Енергія виключення:
1,05мДж
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 18Вт; TO220F; Eвикл: 0,27мДж
Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 18Вт; TO220F; Eвикл: 0,27мДж

115,94 грн

Вид упаковки:
туба
Енергія виключення:
0,27мДж
Енергія включення:
0,47мДж
Заряд затвора:
46нКл
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; 357Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; 357Вт; TO247-3

676,00 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
308нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 1200В; 10А; 96Вт; TO247
Транзистор: IGBT; 1200В; 10А; 96Вт; TO247

128,61 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
80нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 1,2кВ; 40А; TO247-3
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 1,2кВ; 40А; TO247-3

521,41 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT