Транзистор: IGBT; 650В; 80А; 305Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: AIGB50N65H5ATMA1
164,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AIGB50N65H5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 650В
Потужність розсіювання: 305Вт
Струм колектора: 80А
Тип транзистора: IGBT
Недоступний
LED; 3мм; зелений; 1120÷1560мкд; 100°; Голівка: опукла; 2,9÷3,4ВDC
LED; 3мм; зелений; 1120÷1560мкд; 100°; Голівка: опукла; 2,9÷3,4ВDC

40,54 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
3мм
Довжина хвилі λd:
520...530нм
Кількість виводів:
2
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 5ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC; SIP7
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 5ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC; SIP7

485,26 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
5В DC
Недоступний
Connector: wire-wire/PCB; socket; male; data; Datamate J-Tek; 2mm
Connector: wire-wire/PCB; socket; male; data; Datamate J-Tek; 2mm

808,97 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 47Вт; TO252
Транзистор: IGBT; 650В; 8А; 47Вт; TO252

153,94 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252
Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 21Вт; TO252

40,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,8нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 5А; 28Вт; DPAK; Властивості: logic level
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 5А; 28Вт; DPAK; Властивості: logic level

111,50 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
системи запалювання
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,7нКл
Транзистор: IGBT; 600В; 19А; 130Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 600В; 19А; 130Вт; D2PAK

117,20 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
53нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; D3PAK
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; D3PAK

944,54 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D3PAK
Транзистор: IGBT; 600В; 18А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: IGBT; 600В; 18А; 110Вт; D2PAK

143,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 30А; 300Вт; TO263
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 30А; 300Вт; TO263

582,82 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
87нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD