Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: IXBH6N170
455,53 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXBH6N170
Виробник: IXYS
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: високовольтний
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 1,7кВ
Потужність розсіювання: 75Вт
Струм колектора: 6А
Струм колектора в імпульсі: 36А
Технологія: BiMOSFET™
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 104нс
Час вимкнення: 700нс
Недоступний
M32; IP68; brass; silver; for cable; Cable gland: cable
M32; IP68; brass; silver; for cable; Cable gland: cable

576,53 грн

Довжина гвинта:
8мм
Клас герметичності:
IP68
Колір корпусу:
срібний
Матеріал корпусу:
латунь
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,3кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Вилка; PIN: 5; кутовий; IP67; 9А; Модель: неекранований; PUR
Вилка; PIN: 5; кутовий; IP67; 9А; Модель: неекранований; PUR

5614,55 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Модель роз’єму:
неекранований
Недоступний
Резистор: thin film; 1,8кОм; прецизійний; SMD; 1210; 300мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 1,8кОм; прецизійний; SMD; 1210; 300мВт; ±0,1%

6,34 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210
Перемикач: кнопковий; DPDT; ON-ON; Підсв: LED; червоний; 5ВDC
Перемикач: кнопковий; DPDT; ON-ON; Підсв: LED; червоний; 5ВDC

7562,73 грн

Колір підсвітки:
червоний
Конфігурація контактів:
DPDT
Матеріал контакту:
срібло
Монтаж:
snap-in; на панель
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 3,9МГц; Ch: 2; ±2,5÷15ВDC; MSOP8; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 3,9МГц; Ch: 2; ±2,5÷15ВDC; MSOP8; туба

292,07 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,22мВ
Вхідний струм зміщення нуля:
1нА
Недоступний
Трансформатор: литий; 6,3÷12,6В; 47,5x39,6x34,8мм
Трансформатор: литий; 6,3÷12,6В; 47,5x39,6x34,8мм

0,00 грн

Вторинна напруга 1:
6,3...12,6В
Зовнішні розміри:
47,5x39,6x34,8мм
Монтаж:
THT
Потужність:
10ВА
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 82Вт; TO220; Eвикл: 0,07мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 82Вт; TO220; Eвикл: 0,07мДж

91,23 грн

Вид упаковки:
туба
Енергія виключення:
0,07мДж
Енергія включення:
0,26мДж
Заряд затвора:
17,4нКл
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; TO247-3

212,24 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±20В
Транзистор: IGBT; 600В; 14А; 80Вт; TO220AB
Транзистор: IGBT; 600В; 14А; 80Вт; TO220AB

105,80 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 167Вт; TO247-3; H3
Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 167Вт; TO247-3; H3

333,88 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
315нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN

282,56 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Корпус:
TO3PN
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3

1005,45 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 141Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 141Вт; TO247-3

205,27 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
TO247-3