Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 100А; 960Вт; T-Max

Немає в наявності
Код товару: APT100GN120B2G
1771,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT100GN120B2G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 540нКл
Корпус: T-Max
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±30В
Напруги колектор-емітер: 1,2кВ
Потужність розсіювання: 960Вт
Струм колектора: 100А
Струм колектора в імпульсі: 300А
Технологія: Field Stop
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 0,1мкс
Час вимкнення: 935нс
Недоступний
Резистор: дротяний; 150Ом; THT; 2Вт; ±5%; Ø5,5x16мм; осьові; L: 16мм
Резистор: дротяний; 150Ом; THT; 2Вт; ±5%; Ø5,5x16мм; осьові; L: 16мм

5,64 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5,5мм
Довжина:
16мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1500мкФ; 16ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 1500мкФ; 16ВDC; ±20%

20,78 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 15В; SMD; DO213AA; 500нА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 15В; SMD; DO213AA; 500нА; ролик,cтрічка

152,04 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
15В
Корпус:
DO213AA
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3нФ; 10В; U2J; ±5%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3нФ; 10В; U2J; ±5%; SMD; 0402; 180мм

0,56 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 42мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 42мА

414,94 грн

Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
42мА
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 82Вт; TO220; Eвикл: 0,07мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 82Вт; TO220; Eвикл: 0,07мДж

91,22 грн

Вид упаковки:
туба
Енергія виключення:
0,07мДж
Енергія включення:
0,26мДж
Заряд затвора:
17,4нКл
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; TO247-3

212,22 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±20В
Транзистор: IGBT; 600В; 14А; 80Вт; TO220AB
Транзистор: IGBT; 600В; 14А; 80Вт; TO220AB

105,79 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 167Вт; TO247-3; H3
Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 167Вт; TO247-3; H3

333,85 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
315нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN

282,54 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Корпус:
TO3PN
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3

1005,36 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 141Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 141Вт; TO247-3

205,25 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
TO247-3