Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 111А; 319Вт; TO247-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RGTVX2TS65GC11
210,97 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 20
Код товару: RGTVX2TS65GC11
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Енергія виключення: 1,15мДж
Енергія включення: 2,08мДж
Заряд затвора: 123нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±30В
Напруги колектор-емітер: 650В
Потужність розсіювання: 319Вт
Струм колектора: 111А
Технологія: Field Stop; Trench
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 49нс
Час вимкнення: 150нс
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷6А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц; 300В
Амперметр; на панель; I AC: 0÷6А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц; 300В

1716,30 грн

Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Довжина шкали:
41мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 1206; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 1206; 180мм

1,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 82Вт; TO220; Eвикл: 0,07мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 82Вт; TO220; Eвикл: 0,07мДж

91,23 грн

Вид упаковки:
туба
Енергія виключення:
0,07мДж
Енергія включення:
0,26мДж
Заряд затвора:
17,4нКл
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; TO247-3

212,24 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±20В
Транзистор: IGBT; 600В; 14А; 80Вт; TO220AB
Транзистор: IGBT; 600В; 14А; 80Вт; TO220AB

105,80 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 167Вт; TO247-3; H3
Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 167Вт; TO247-3; H3

333,88 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
315нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN

282,56 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Корпус:
TO3PN
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3

1005,45 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 141Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 141Вт; TO247-3

205,27 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
TO247-3