Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 50А; 156Вт; Eвикл: 0,43мДж

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RGW50TS65GC13
161,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 26
Код товару: RGW50TS65GC13
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Енергія виключення: 0,43мДж
Енергія включення: 0,39мДж
Заряд затвора: 73нКл
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±30В
Напруги колектор-емітер: 650В
Потужність розсіювання: 156Вт
Струм колектора: 50А
Технологія: Field Stop; Trench
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 35нс
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 24,3В; односпрямована; DO13; Ch: 1; -65÷175°C
Діод: TVS; 1,5кВт; 24,3В; односпрямована; DO13; Ch: 1; -65÷175°C

856,56 грн

Зворотна напруга макс.:
21,8В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO13
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 1.5A

138,75 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 715Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F
Резистор: thick film; 715Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F

2,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 49; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 49; THT; 3A; 100V

215,41 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V

303,47 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: power switch; high-side; 3А; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN4; 1,5мкс
IC: power switch; high-side; 3А; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN4; 1,5мкс

38,65 грн

Активний стан:
високе
Вид виходу:
P-Channel
Вид об'єднаної схеми:
high-side
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 4,2нГн; 1800мА; R: 0,044Ом; ±2%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 4,2нГн; 1800мА; R: 0,044Ом; ±2%; LQW

3,44 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
4,2нГн
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 82Вт; TO220; Eвикл: 0,07мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 82Вт; TO220; Eвикл: 0,07мДж

91,23 грн

Вид упаковки:
туба
Енергія виключення:
0,07мДж
Енергія включення:
0,26мДж
Заряд затвора:
17,4нКл
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; TO247-3

212,24 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±20В
Транзистор: IGBT; 600В; 14А; 80Вт; TO220AB
Транзистор: IGBT; 600В; 14А; 80Вт; TO220AB

105,80 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 167Вт; TO247-3; H3
Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 167Вт; TO247-3; H3

333,88 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
315нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN

282,56 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Корпус:
TO3PN
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3

1005,45 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 141Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 141Вт; TO247-3

205,27 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
TO247-3