Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 50А; 156Вт; Eвикл: 0,43мДж

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RGW50TS65DGC13
186,26 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 22
Код товару: RGW50TS65DGC13
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Енергія виключення: 0,43мДж
Енергія включення: 0,39мДж
Заряд затвора: 73нКл
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±30В
Напруги колектор-емітер: 650В
Потужність розсіювання: 156Вт
Струм колектора: 50А
Технологія: Field Stop; Trench
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 35нс
Магніт: постійн; твердий ферит; 78Н; Ø: 32мм; H: 7мм; сталь
Магніт: постійн; твердий ферит; 78Н; Ø: 32мм; H: 7мм; сталь

206,54 грн

Висота:
7мм
Діаметр:
32мм
Магнітний матеріал:
твердий ферит
Матеріал корпусу:
сталь
Недоступний
IC: цифровий; тригер D; Ch: 2; CMOS; LCX; SMD; TSSOP14; туба
IC: цифровий; тригер D; Ch: 2; CMOS; LCX; SMD; TSSOP14; туба

32,94 грн

Вид об'єднаної схеми:
тригер D
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
2
Корпус:
TSSOP14
Резистор: thick film; 100Ом; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 100Ом; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷155°C

0,44 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 82Вт; TO220; Eвикл: 0,07мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 82Вт; TO220; Eвикл: 0,07мДж

91,23 грн

Вид упаковки:
туба
Енергія виключення:
0,07мДж
Енергія включення:
0,26мДж
Заряд затвора:
17,4нКл
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; TO247-3

212,24 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±20В
Транзистор: IGBT; 600В; 14А; 80Вт; TO220AB
Транзистор: IGBT; 600В; 14А; 80Вт; TO220AB

105,80 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 167Вт; TO247-3; H3
Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 167Вт; TO247-3; H3

333,88 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
315нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN

282,56 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Корпус:
TO3PN
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3

1005,45 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 141Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 141Вт; TO247-3

205,27 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
TO247-3