Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 30А; 300Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: IXGH30N120B3D1
411,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXGH30N120B3D1
Виробник: IXYS
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 87нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 1,2кВ
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм колектора: 30А
Струм колектора в імпульсі: 150А
Технологія: GenX3™; PT
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 56нс
Час вимкнення: 471нс
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.5mm; GKS-112; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.5mm; GKS-112; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 806кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 806кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

48,15 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Вимірник; напруга постійного струму,струм DС; 24ВDC; на панель
Вимірник; напруга постійного струму,струм DС; 24ВDC; на панель

27138,27 грн

Вид вжитого дисплея:
LCD
Вид виходу 1:
0/4...20мА; SPST-NO x2
Вид входу 1:
0...5kГц; 0...5В; 0...20мА; 0...30Гц; 1...5В; 4...20мА; -5В...5В; -10...+10В; NPN
Висота дисплея 1:
7мм
Транзистор: NPN; біполярний; 30В; 0,1А; 250мВт; SOT23
Транзистор: NPN; біполярний; 30В; 0,1А; 250мВт; SOT23

5,07 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
30В
Недоступний
Резистор: thin film; 22кОм; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 22кОм; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100ВDC; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100ВDC; ±10%; SMD; 0603

13,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Допуск:
±10%
Ємність:
0,33нФ
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 10А; 180Вт; TO247HV
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 10А; 180Вт; TO247HV

3597,32 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO247HV
Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 150Вт; TO247; Eвикл: 0,46мДж
Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 150Вт; TO247; Eвикл: 0,46мДж

197,04 грн

Вид упаковки:
туба
Енергія виключення:
0,46мДж
Енергія включення:
1,27мДж
Заряд затвора:
63нКл
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 260Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 260Вт; TO247-3

156,49 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
149нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 64А; 366Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 64А; 366Вт; TO247-3

636,72 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
325нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 134Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 134Вт; TO247-3

259,12 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 7А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 7А; 75Вт; TO220AB

133,05 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 714Вт; TO247
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 714Вт; TO247

209,07 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
0,35мкКл
Корпус:
TO247