Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 82А; 1,25кВт; TO264

Немає в наявності
Код товару: IXGK82N120B3
1268,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXGK82N120B3
Виробник: IXYS
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 0,35мкКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 1,2кВ
Потужність розсіювання: 1,25кВт
Струм колектора: 82А
Струм колектора в імпульсі: 500А
Технологія: GenX3™; PT
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 112нс
Час вимкнення: 760нс
Недоступний
Роз’єм: Jack 3,5мм; гніздо; гніздовий; аудіо відео; горизонтальне
Роз’єм: Jack 3,5мм; гніздо; гніздовий; аудіо відео; горизонтальне

74,76 грн

Connector family:
аудіо відео
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
4
Недоступний
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; 300В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; 300В; -55÷155°C

4,17 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Connector: wire-board; socket; male; data; 1A; 125V; PIN: 3; 1.25mm
Connector: wire-board; socket; male; data; 1A; 125V; PIN: 3; 1.25mm

6,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
3
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 128Мx32бит; 1,1÷1,8В; 1,6ГГц; 625пс
IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 128Мx32бит; 1,1÷1,8В; 1,6ГГц; 625пс

4133,94 грн

Вид пам’яті:
LPDDR4; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Гб DRAM
Резистор: thin film; 4,7кОм; SMD; 1Вт; 5,9x2,2x2,2мм; -55÷155°C
Резистор: thin film; 4,7кОм; SMD; 1Вт; 5,9x2,2x2,2мм; -55÷155°C

3,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Опір:
4,7кОм
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 10бит; 200кsps; 2,7÷5,5В; MSOP8; туба
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 10бит; 200кsps; 2,7÷5,5В; MSOP8; туба

172,33 грн

Max DNL:
±1LSB
Max INL:
±1LSB
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
pseudo-differential
Недоступний
Транзистор: PNP x2; біполярний; BRT; 50В; 100мА; 385мВт
Транзистор: PNP x2; біполярний; BRT; 50В; 100мА; 385мВт

18,37 грн

Вид транзистора:
BRT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 57А; 165Вт; Eвикл: 0,23мДж
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 57А; 165Вт; Eвикл: 0,23мДж

167,26 грн

Енергія виключення:
0,23мДж
Енергія включення:
0,11мДж
Заряд затвора:
73нКл
Напруги колектор-емітер:
650В
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 105А; 468Вт; TO247-4; 2,08мДж
Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 105А; 468Вт; TO247-4; 2,08мДж

546,12 грн

Енергія включення:
2,08мДж
Заряд затвора:
259нКл
Корпус:
TO247-4
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; 650В; 64А; 178Вт; TO247-3; 0,22мДж
Транзистор: IGBT; 650В; 64А; 178Вт; TO247-3; 0,22мДж

479,60 грн

Енергія виключення:
0,22мДж
Заряд затвора:
84нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 40А; 136Вт; Eвикл: 0,3мДж
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 40А; 136Вт; Eвикл: 0,3мДж

153,32 грн

Енергія виключення:
0,3мДж
Енергія включення:
0,33мДж
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; 650В; 81А; 214Вт; TO247-3; Eвикл: 0,34мДж
Транзистор: IGBT; 650В; 81А; 214Вт; TO247-3; Eвикл: 0,34мДж

494,17 грн

Енергія виключення:
0,34мДж
Енергія включення:
0,12мДж
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 326Вт; TO247-3; H3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 326Вт; TO247-3; H3

292,70 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 15А; 83,3Вт; TO220; Eвикл: 0,11мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 15А; 83,3Вт; TO220; Eвикл: 0,11мДж

83,63 грн

Вид упаковки:
туба
Енергія виключення:
0,11мДж
Енергія включення:
0,42мДж
Заряд затвора:
25,4нКл