Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 80А; 625Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: IXXH80N65B4H1
753,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXXH80N65B4H1
Виробник: IXYS
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 0,12мкКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±20В
Напруги колектор-емітер: 650В
Потужність розсіювання: 625Вт
Струм колектора: 80А
Струм колектора в імпульсі: 430А
Технологія: GenX4™; Trench; XPT™
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 123нс
Час вимкнення: 147нс
Недоступний
Ланцюгова напрямна; E2.26; Рад.заг: 48мм; L: 1012мм
Ланцюгова напрямна; E2.26; Рад.заг: 48мм; L: 1012мм

3473,14 грн

Внутрішня висота:
26мм
Внутрішня ширина:
77мм
Довжина:
1012мм
Зовнішня висота:
35мм
Недоступний
IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 256kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100
IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 256kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100

478,97 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
QFP100
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Маркер: кабельний; папір; білий; ESO; UL94HB; 40мм; -40÷80°C
Маркер: кабельний; папір; білий; ESO; UL94HB; 40мм; -40÷80°C

119,11 грн

Висота:
40мм
Клас горючості:
UL94HB
Колір:
білий
Матеріал:
папір
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 13,3В; 31А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 13,3В; 31А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1

5,39 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
12В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 64МГц; A/E/USART,MSSP (SPI / I2C)
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 64МГц; A/E/USART,MSSP (SPI / I2C)

127,34 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); HLVD; Phase locked loop; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 16МГц
Недоступний
Резистор: thin film; 150Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 150Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 82Вт; TO220; Eвикл: 0,07мДж
Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 82Вт; TO220; Eвикл: 0,07мДж

91,23 грн

Вид упаковки:
туба
Енергія виключення:
0,07мДж
Енергія включення:
0,26мДж
Заряд затвора:
17,4нКл
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; TO247-3

212,24 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±20В
Транзистор: IGBT; 600В; 14А; 80Вт; TO220AB
Транзистор: IGBT; 600В; 14А; 80Вт; TO220AB

105,80 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 167Вт; TO247-3; H3
Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 167Вт; TO247-3; H3

333,88 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
315нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN
Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN

282,56 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Корпус:
TO3PN
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 16А; 250Вт; TO247-3

1005,45 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 100А; 830Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 100А; 830Вт; TO247-3

663,33 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
172нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT