Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 30А; 357Вт; T-Max

Немає в наявності
Код товару: APT33GF120B2RDQ2G
973,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT33GF120B2RDQ2G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: integrated anti-parallel diode
Заряд затвора: 170нКл
Корпус: T-Max
Монтаж: THT
Напруга затвор - емітер: ±30В
Напруги колектор-емітер: 1,2кВ
Потужність розсіювання: 357Вт
Струм колектора: 30А
Струм колектора в імпульсі: 75А
Технологія: NPT
Тип транзистора: IGBT
Час ввімкнення: 31нс
Час вимкнення: 355нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 20м; 60ВDC; 1,5А; Жили: 4; PUR; -25÷85°C
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 20м; 60ВDC; 1,5А; Жили: 4; PUR; -25÷85°C

10797,66 грн

Довжина кабелю:
20м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Резистор: thick film; 91Ом; високої потужності; SMD; 0805; 0,3Вт
Резистор: thick film; 91Ом; високої потужності; SMD; 0805; 0,3Вт

0,40 грн

Вид резистора:
високої потужності
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 10В; 39А; односпрямована; DO214AC,DO221AC,SMA
Діод: TVS; 0,6кВт; 10В; 39А; односпрямована; DO214AC,DO221AC,SMA

5,58 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
9В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; DO221AC; SMA
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 76А; Idm: 228А; 735Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 76А; Idm: 228А; 735Вт; TO247

387,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
260нКл
Корпус:
TO247
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 45В; 0,1А; SOT363
Транзистор: NPN; біполярний; 45В; 0,1А; SOT363

16,47 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
45В
Недоступний
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,18мкФ; 630ВDC; 18,5x8x21мм; THT
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,18мкФ; 630ВDC; 18,5x8x21мм; THT

12,73 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
0,18мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
10мм
Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 468Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 468Вт; TO247-3

337,68 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
225нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 60А; 230Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 60А; 230Вт; TO247-3

157,75 грн

Енергія виключення:
0,45мДж
Енергія включення:
1,85мДж
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 500Вт; TO247
Транзистор: IGBT; 650В; 75А; 500Вт; TO247

216,68 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 110А; 385Вт; TO247-4
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 110А; 385Вт; TO247-4

389,00 грн

Енергія виключення:
0,96мДж
Енергія включення:
0,72мДж
Заряд затвора:
146нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 83А; 227Вт; Eвикл: 0,33мДж
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 83А; 227Вт; Eвикл: 0,33мДж

210,34 грн

Енергія виключення:
0,33мДж
Енергія включення:
0,24мДж
Заряд затвора:
110нКл
Напруга затвор - емітер:
±30В
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 132А; 348Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 132А; 348Вт; TO247-3

312,98 грн

Заряд затвора:
213нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±30В
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 104А; 288Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 104А; 288Вт; TO247-3

194,50 грн

Енергія виключення:
1,2мДж
Енергія включення:
1,43мДж
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247-3