Транзистор: IGBT; SiC SBD; 1,2кВ; 40А; TO247-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BGH40N120HS1
523,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BGH40N120HS1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: integrated anti-parallel diode
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруги колектор-емітер: 1,2кВ
Струм колектора: 40А
Технологія: Field Stop; SiC SBD; Trench
Тип транзистора: IGBT
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 200Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 200Вт; TO247-3

193,22 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 483Вт; TO247-3; H3
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 483Вт; TO247-3; H3

287,61 грн

Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор - емітер:
±20В
Транзистор: IGBT; Planar; 1,2кВ; 13А; 85Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; Planar; 1,2кВ; 13А; 85Вт; TO247-3

260,37 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; GenX3™; 900В; 50А; 400Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 900В; 50А; 400Вт; TO247-3

935,67 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 65А; 1,04кВт; PLUS247™
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 65А; 1,04кВт; PLUS247™

1493,78 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Заряд затвора:
358нКл
Корпус:
PLUS247™
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 72А; 540Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 600В; 72А; 540Вт; TO247-3

552,41 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
230нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 50А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 50А; 600Вт; TO247-3

763,36 грн

Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
80нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT