Транзистор: N-JFET; GaN; польовий; HEMT; 650В; 11,5А; Idm: 20,5А

Немає в наявності
Код товару: GAN190-650EBEZ
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: GAN190-650EBEZ
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: HEMT
Вид упаковки: cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 2,8нКл
Корпус: DFN8080-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -1,4...7В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,19Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 11,5А
Струм стоку в імпульсі: 20,5А
Технологія: GaN
Тип транзистора: N-JFET
Недоступний
Резистор: thin film; 1,87кОм; 0805; 250мВт; ±0,1%; RN73H; -55÷155°C
Резистор: thin film; 1,87кОм; 0805; 250мВт; ±0,1%; RN73H; -55÷155°C

5,58 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Номінальна напруга:
0,15кВ
Резистор: thin film; 2,37кОм; SMD; 0402; 100мВт; 1x0,5x0,3мм
Резистор: thin film; 2,37кОм; SMD; 0402; 100мВт; 1x0,5x0,3мм

5,70 грн

Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Опір:
2,37кОм
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 90Ом; 1,6Вт; 10мс
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 90Ом; 1,6Вт; 10мс

98,83 грн

Виводи:
конектори
Кількість пін:
4
Конструкція:
захисний діод; одна обмотка
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Недоступний
Резистор: шунт; 0,5мОм; SMD; 9Вт; ±1%; -65÷170°C; 1000шт.
Резистор: шунт; 0,5мОм; SMD; 9Вт; ±1%; -65÷170°C; 1000шт.

41,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Монтаж:
SMD
Конденсатор: керамічний; 680нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 680нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0603

0,87 грн

Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,68мкФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; NQ; 200В

2,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: thick film; 1,96кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,96кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
1,96кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC89
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8