1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-JFET; GaN; польовий; HEMT; 650В; 11А; Idm: 19А; PDFN88

Транзистор: N-JFET; GaN; польовий; HEMT; 650В; 11А; Idm: 19А; PDFN88
Немає в наявності
Код товару: TSG65N195CE RVG
557,53 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSG65N195CE RVG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: HEMT
Вид упаковки: cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 2,2нКл
Корпус: PDFN88
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -10...7В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,195Ом
Поляризація: польовий
Струм стока: 11А
Струм стоку в імпульсі: 19А
Технологія: GaN
Тип транзистора: N-JFET
Недоступний
Резистор: thin film; 5,42кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 5,42кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

20,21 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перемикач: поворотний; 30мм; Фікс.поз: 2; залежно від корпусу
Перемикач: поворотний; 30мм; Фікс.поз: 2; залежно від корпусу

1765,71 грн

Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
Клас герметичності:
IP66; IP67; IP69K
Колір:
червоний
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 1206; 1Вт; ±1%; SG73S; 200В
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 1206; 1Вт; ±1%; SG73S; 200В

0,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Викрутка: прецизійна; плоскa; 1,8x0,27мм; Довж.леза: 75мм
Викрутка: прецизійна; плоскa; 1,8x0,27мм; Довж.леза: 75мм

204,64 грн

Відповідність стандарту:
DIN 5263
Довжина леза:
75мм
Розмір грота:
1,8x0,27мм
Тип викрутка:
прецизійна
Недоступний
Радіатор: штампований; ребристий; натуральний; L: 75мм; W: 400мм
Радіатор: штампований; ребристий; натуральний; L: 75мм; W: 400мм

0,00 грн

Висота:
42мм
Довжина:
75мм
Колір:
натуральний
Матеріал:
алюміній
Недоступний
Резистор: thin film; 1,18кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 1,18кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 53,6кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 53,6кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,49нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

79,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм

122,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
WSON6
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

216,04 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD