Транзистор: N-JFET; GaN; польовий; HEMT; 650В; 29А; Idm: 58А; 240Вт

Немає в наявності
Код товару: GAN080-650EBEZ
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: GAN080-650EBEZ
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: HEMT
Вид упаковки: cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 6,2нКл
Корпус: DFN8080-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -6...7В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 80мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 240Вт
Струм стока: 29А
Струм стоку в імпульсі: 58А
Технологія: GaN
Тип транзистора: N-JFET
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; TO252; SMD; 650В; 6А; ролик,cтрічка; 73Вт
Діод: випрямний Шотткі; TO252; SMD; 650В; 6А; ролик,cтрічка; 73Вт

34,85 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
650В
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 243кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; 50В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 243кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; 50В; -55÷125°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 89,8кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 89,8кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 76,8Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; 50В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 76,8Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; 50В; -55÷125°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Діод: перемикальний; SMD; 100В; 150мА; 4нс; SOT323; Ufmax: 1,25В
Діод: перемикальний; SMD; 100В; 150мА; 4нс; SOT323; Ufmax: 1,25В

7,60 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
SOT323
Перемикач: подвійний; 22мм; Фікс.поз: 1; червоний/зелений; IP67
Перемикач: подвійний; 22мм; Фікс.поз: 1; червоний/зелений; IP67

592,37 грн

Властивості перемикачів:
без символу
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 1,13кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 1,13кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

3,22 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC89
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8