Транзистор: N-JFET; GaN; польовий; HEMT; 650В; 9А; Idm: 36А; 192Вт

Немає в наявності
Код товару: SGT120R65AL
266,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SGT120R65AL
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: HEMT
Вид упаковки: cтрічка
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 3нКл
Корпус: PowerFLAT 5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -10...7В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,12Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 192Вт
Струм стока: 9А
Струм стоку в імпульсі: 36А
Технологія: GaN
Тип транзистора: N-JFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 3,3мкФ; 250ВDC; Ø8x10мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 3,3мкФ; 250ВDC; Ø8x10мм; ±20%

10,83 грн

Висота:
10мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Ємність:
3,3мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HQ; 200В

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 11Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; PS; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 11Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; PS; 500В; -55÷155°C

5,07 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,2пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,2пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0201

1,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,2пФ
Недоступний
Провід; H07V2-K; тросик; Cu; 1,5мм2; 16AWG; ПВХ; біло-червоний
Провід; H07V2-K; тросик; Cu; 1,5мм2; 16AWG; ПВХ; біло-червоний

61,45 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
H07V2-K
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,4пФ
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; 2,5ВDC; 0,6А; SOT23-5; SMD
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; 2,5ВDC; 0,6А; SOT23-5; SMD

70,96 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,5В DC
Вихідний струм:
0,6А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC89
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8