Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; GaN; польовий; HEMT,каскодний

Немає в наявності
Код товару: GPT65Z4YMR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: GPT65Z4YMR
Виробник: MGT BRIGHTEK
Вид транзистора: HEMT; каскодний
Вид упаковки: cтрічка
Заряд затвора: 38нКл
Корпус: DFN8080
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,13Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 67,5Вт
Струм стока: 11,5А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: GaN
Тип транзистора: N-JFET / N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; 750пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 750пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
750пФ
Недоступний
Роз’єм: Jack 6,3мм; вилка; штекерний; аудіо відео; моно; лінії: 2
Роз’єм: Jack 6,3мм; вилка; штекерний; аудіо відео; моно; лінії: 2

358,59 грн

Connector family:
аудіо відео
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість ліній:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 100В; X8G; ±5%; SMD; 0603

1,76 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 1,62Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,62Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 91кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 91кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

6,40 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 787Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 787Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,49нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 5,6А; 2Вт; SOT223

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

79,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 77Вт; VSONP8; 5x6мм

122,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 14,4А; 20,2Вт; WSON6; 2x2мм

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
WSON6
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

216,04 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,5А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD