Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 62А

Немає в наявності
Код товару: UF3C065030K3S
1132,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: UF3C065030K3S
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: каскодний
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 51нКл
Корпус: TO247-3
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 27мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 441Вт
Струм стока: 62А
Струм стоку в імпульсі: 230А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-JFET / N-MOSFET
Недоступний
Дисплей: TFT; 7,84"; 400x1280; Підсв: LED; Вим: 67,6x206x6,27мм
Дисплей: TFT; 7,84"; 400x1280; Підсв: LED; Вим: 67,6x206x6,27мм

5074,77 грн

Cенсорна панель:
ємкісний
Вид дисплея:
матриця IPS
Властивості дисплеїв:
multi-touch; широкий кут огляду
Діагональ екрану:
7,84"
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,1пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 40,2кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,5%; 50В
Резистор: thick film; 40,2кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,5%; 50В

0,10 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Індикатор: LED; опукла; зелений; 24ВDC; Ø22,3мм; 17; конектори
Індикатор: LED; опукла; зелений; 24ВDC; Ø22,3мм; 17; конектори

1127,09 грн

Виводи:
конектори
Вид індикатора:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
15мм
Колір індикатора:
зелений
Недоступний
Модуль автоматики: світло сигналізатор; червоний; 24ВDC; IP54
Модуль автоматики: світло сигналізатор; червоний; 24ВDC; IP54

7791,44 грн

Використання:
колона сигналізації
Зовнішні розміри:
Ø70x66мм
Клас герметичності:
IP54
Колір:
червоний
Недоступний
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 0805; ±5%; 150В; 0,125мм
Резистор: thick film; 470Ом; SMD; 0805; ±5%; 150В; 0,125мм

0,17 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3