Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; SiC; польовий; каскодний; 650В; 62А

Немає в наявності
Код товару: UF3C065030K4S
1132,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: UF3C065030K4S
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид транзистора: каскодний
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 43нКл
Корпус: TO247-4
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 27мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 441Вт
Струм стока: 62А
Струм стоку в імпульсі: 230А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-JFET / N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
10000шт.
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Вимикач максимального струму; Uном: 240ВAC; 28ВDC; 0,6А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; Uном: 240ВAC; 28ВDC; 0,6А; Полюси: 1

1832,87 грн

Виводи:
конектори
Діелектрична міцність:
1,5кВ AC
Довжина гвинта:
10мм
Допоміжні інтегровані контакти:
SPDT
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВAC; SPST-NO; 40A/240ВAC; PCB
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВAC; SPST-NO; 40A/240ВAC; PCB

201,47 грн

Зовнішні розміри:
32,5x27,6x20,5мм
Клас герметичності:
IP64
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. напруга котушки:
15,6В AC
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 1250А; 10ВА; 127,5x112x84,1мм
Трансформатор: струмовий; Iвх: 1250А; 10ВА; 127,5x112x84,1мм

8943,24 грн

Вхідний струм:
1,25кА
Зовнішні розміри:
127,5x112x84,1мм
Клас точності:
1
Максимальна напруга:
720В AC
Недоступний
Резистор: thick film; 3кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,28 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3