Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 10мА; 0,2Вт; SC59; Igt: 10мА

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: 2SK2394-6-TB-E
43,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2SK2394-6-TB-E
Виробник: ONSEMI
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SC59
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -15В
Напруга сток-джерело: 15В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,2Вт
Струм вентиля: 10мА
Струм стока: 10мА
Тип транзистора: N-JFET
Недоступний
Резистор: thick film; 10,5кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RK73H; 25В
Резистор: thick film; 10,5кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RK73H; 25В

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 6; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 6; SMT; straight

31,30 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
4,4мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 250мА; SMT
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 250мА; SMT

1038,39 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,25А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Додаткові функції:
OFF
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 20; SMT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 20; SMT; 3A; 150V

513,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина відводів:
4мм
Електричний монтаж:
SMT
Реактор: дротяний; THT; 510мА; ±10%; RLB; 12,2x9x12,2мм; Растр: 5мм
Реактор: дротяний; THT; 510мА; ±10%; RLB; 12,2x9x12,2мм; Растр: 5мм

14,45 грн

Виводи:
радіальні
Високосортність:
20
Висота:
12,2мм
Допуск:
±10%
Лабораторний затиск; чорний; 70ВDC; 33ВAC; 16А; нікель; поліамід
Лабораторний затиск; чорний; 70ВDC; 33ВAC; 16А; нікель; поліамід

236,95 грн

Довжина:
38,9мм
Колір:
чорний
Матеріал ізоляції:
поліамід
Матеріал контакту:
нікель
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; HV; 500В
Резистор: thick film; 1,3МОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; HV; 500В

0,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD