Транзистор: N-JFET; польовий; 200мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

Немає в наявності
Код товару: MMBFJ201
24,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MMBFJ201
Виробник: ONSEMI
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм вентиля: 50мА
Струм стока: 200мкА
Тип транзистора: N-JFET
Недоступний
Резистор: thick film; 649Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; 50В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 649Ом; SMD; 0402; 60мВт; ±1%; 50В; -55÷125°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±5%; ERJP08J
Резистор: thick film; 120Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±5%; ERJP08J

6,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; CRGCQ
Резистор: thick film; 6,8Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; CRGCQ

3,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Недоступний
ROCKER; DPST; Поз: 2; OFF-ON; 20A/14ВDC; червоний; IP56; SRD; UL94V-2
ROCKER; DPST; Поз: 2; OFF-ON; 20A/14ВDC; червоний; IP56; SRD; UL94V-2

355,42 грн

Виводи:
конектори
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
Клас герметичності:
IP56
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 3A; 250V

127,98 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
18,2мм
Недоступний
Резистор: thin film; 69,8кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 69,8кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 107кОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 107кОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
107кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK

171,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8

15,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
28,4нКл
Корпус:
PowerDI3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA

336,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
10,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В