Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: J112-D26Z
25,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: J112-D26Z
Виробник: ONSEMI
Вид упаковки: cтрічка
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -35В
Опір в стані провідності: 50Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,625Вт
Струм вентиля: 50мА
Струм стока: 5мА
Тип транзистора: N-JFET
Недоступний
Резистор: thin film; 41,2кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 41,2кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

6,40 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 3,48кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 3,48кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

21,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 3В; 0,3А; MSOP8; SMD
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 3В; 0,3А; MSOP8; SMD

62,09 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; нерегульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
3В
Вихідний струм:
0,3А
Недоступний
Резистор: thick film; 4,75Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,75Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
4,75Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%; ERA6ARW
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,05%; ERA6ARW

18,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,05%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Роз’єм: клапанний; вилка; промислова; формат А; 18мм; гніздовий
Роз’єм: клапанний; вилка; промислова; формат А; 18мм; гніздовий

874,94 грн

Alias:
MSVS-EBBN-M16
Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Відповідність стандарту:
DIN 43650
Недоступний
Резистор: thin film; 36,5кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 36,5кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

24,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6А; 41Вт; PG-TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6А; 41Вт; PG-TO220-3; ESD

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2А; 35Вт; TO220FP

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 15А; 150Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 15А; 150Вт; TO247-3

316,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 13А; 33Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 13А; 33Вт; TO220FP

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 2,6А; 29Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 2,6А; 29Вт; TO251

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 300В; 52А; 400Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 300В; 52А; 400Вт; TO247-3

499,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 72А; 390Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 72А; 390Вт; TO3P

536,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
TO3P