Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 2,4А; 125Вт; D2PAK,TO263AB; 920нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA2R4N120P
230,61 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXTA2R4N120P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 37нКл
Корпус: D2PAK; TO263AB
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 7,5Ом
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 2,4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 920нс
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 3; гніздовий; промислова; MS/DS; прямий
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 3; гніздовий; промислова; MS/DS; прямий

899,65 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Відповідність стандарту:
MIL-C-5015
Електричний монтаж:
паяння
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9пФ
Провід; UNITRONIC® PUR CP; 3x0,5мм2; PUR; сіро-бежевий
Провід; UNITRONIC® PUR CP; 3x0,5мм2; PUR; сіро-бежевий

213,51 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Резистор: thin film; 8,2кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thin film; 8,2кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 250мВт; ±1%; 200В

2,60 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
1,4мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Кабель; USB 2.0; USB A вилка,вилка mini USB B; 0,15м; чорний
Кабель; USB 2.0; USB A вилка,вилка mini USB B; 0,15м; чорний

66,52 грн

Використування кабелів/комп'ютерних перехідників:
Canon
Довжина кабелю:
0,15м
Колір ізоляції:
чорний
Конструкція кабелю/переходу:
USB A вилка; вилка mini USB B
Недоступний
Симістор; 1кВ; 10А; Igt: 50мА; TO263; ролик,cтрічка
Симістор; 1кВ; 10А; Igt: 50мА; TO263; ролик,cтрічка

112,77 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
1кВ
Корпус:
TO263
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,94 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23